公开(公告)号：CN105271722B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201510427674.4

申请日：2015-07-20

申请人： AGC株式会社

发明人： 德永博文 ,  小野和孝 ,  野村周平

IPC分类号： C03C3/091

摘要： 本发明提供热膨胀系数小、应变点高并且粘性低、特别是玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2低的无碱玻璃。一种无碱玻璃，其应变点为695℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为43×10‑7/℃以下，玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2为1690℃以下，以基于氧化物的摩尔％计，含有63～70的SiO2、8～16的Al2O3、1.5～低于4的B2O3、0～8的MgO、0～20的CaO、1.5～10的SrO、0～0.5的BaO，MgO+CaO为0～28，MgO+CaO+SrO+BaO为12～30，SrO/CaO为0.33～0.85，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]‑5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])为17以上。

公开(公告)号：CN107207323B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201680008835.9

申请日：2016-02-02

申请人： AGC株式会社

发明人： 野村周平 ,  小野和孝

IPC分类号： C03C3/091 ,  C03B25/02 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087

摘要： 本发明提供一种玻璃基板，在将硅基板和玻璃基板贴合的热处理工序中，碱性离子不易向上述硅基板扩散，上述硅基板产生的残留应变小。本发明的玻璃基板在50℃～100℃的平均热膨胀系数α50/100为2.70ppm/℃～3.20ppm/℃，在200℃～300℃的平均热膨胀系数α200/300为3.45ppm/℃～3.95ppm/℃，将200℃～300℃的平均热膨胀系数α200/300除以50℃～100℃的平均热膨胀系数α50/100而得的值α200/300/α50/100为1.20～1.30，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分比计为0％～0.1％。

公开(公告)号：CN111886210A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980020075.7

申请日：2019-03-13

申请人： AGC株式会社

发明人： 野村周平 ,  小野和孝

IPC分类号： C03C4/00 ,  C03C3/091 ,  H01P3/08 ,  H01Q1/38

摘要： 本发明提供一种能够降低高频信号的介电损耗且能够在宽温度区域稳定地使用的基板。本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的介电损耗角正切(A)为0.1以下，20℃、35GHz下的介电损耗角正切(B)为0.1以下，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的介电损耗角正切(C)/所述介电损耗角正切(A)}表示的比为0.90～1.10。另外，本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的相对介电常数(a)为4～10，20℃、35GHz下的相对介电常数(b)为4～10，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的相对介电常数(c)/所述相对介电常数(a)}表示的比为0.993～1.007。

公开(公告)号：CN114126859B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202080051608.0

申请日：2020-07-14

申请人： AGC株式会社

发明人： 小川修平 ,  野村周平 ,  中泽伯人

IPC分类号： B32B17/06 ,  B32B7/023 ,  B32B7/027 ,  B32B18/00 ,  B32B9/00 ,  B32B7/12 ,  C03C27/00

摘要： 一种层叠构件，具有：波长850nm处的线性透射率为80％以上的玻璃构件、上述玻璃构件上的为树脂的接合层和上述接合层上的Si－SiC构件。

公开(公告)号：CN114127032B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202080051640.9

申请日：2020-07-14

申请人： AGC株式会社

发明人： 小川修平 ,  中泽伯人 ,  野村周平

IPC分类号： C04B37/02 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 一种层叠构件，具有波长850nm处的线性透射率为80％以上的玻璃构件、上述玻璃构件上的为树脂的接合层和上述接合层上的为SiC构件或AlN构件的陶瓷构件。

公开(公告)号：CN114127032A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051640.9

申请日：2020-07-14

申请人： AGC株式会社

发明人： 小川修平 ,  中泽伯人 ,  野村周平

IPC分类号： C04B37/02 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 一种层叠构件，具有波长850nm处的线性透射率为80％以上的玻璃构件、上述玻璃构件上的为树脂的接合层和上述接合层上的为SiC构件或AlN构件的陶瓷构件。

公开(公告)号：CN113307471A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110625948.6

申请日：2016-07-19

申请人： AGC株式会社

发明人： 塙优 ,  野村周平 ,  小野和孝 ,  竹下畅彦 ,  花岛圭辅

IPC分类号： C03B5/235 ,  C03B18/02 ,  C03B33/02 ,  B65D85/48 ,  C03C23/00

摘要： 本发明的玻璃基板是通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面和凸面，具有能够识别上述凹面和上述凸面的标记。

公开(公告)号：CN113039163A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201980075171.1

申请日：2019-11-11

申请人： AGC株式会社

发明人： 小野和孝 ,  松尾优作 ,  野村周平

IPC分类号： C03C3/085 ,  C03C4/16

摘要： 本发明涉及一种高频器件用玻璃基板，其中，所述高频器件用玻璃基板的以氧化物基准的摩尔百分率计的含量满足：碱土金属氧化物：0.1％～13％、Al2O3+B2O3：1％～40％、Al2O3/(Al2O3+B2O3)：0～0.45、和Sc2O3等微量成分：0.1％～1.0％或ZnO2+ZrO2：1.5％～4.0％，所述高频器件用玻璃基板以SiO2作为主要成分，并且所述高频器件用玻璃基板的35GHz下的介质损耗角正切为0.007以下。

公开(公告)号：CN110436774A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910720507.7

申请日：2015-07-20

申请人： AGC株式会社

发明人： 德永博文 ,  小野和孝 ,  野村周平

IPC分类号： C03C3/091

摘要： 本发明提供热膨胀系数小、应变点高、光弹性常数低、杨氏模量高、热收缩率小的无碱玻璃。其应变点为695℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为43×10-7/℃以下，光弹性常数为31nm/MPa/cm以下，杨氏模量为78GPa以上，热收缩率为200ppm以下，以基于氧化物的摩尔％计，含有64.9～70的SiO2、8～16的Al2O3、2.7以上的B2O3、0～7.5的MgO、3～20的CaO、1.5～10的SrO，MgO+CaO为0～28，MgO+CaO+SrO+BaO为12～30，SrO/CaO为0.58～0.74，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]-5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])为17以上。

公开(公告)号：CN118702407A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410683865.6

申请日：2019-11-11

申请人： AGC株式会社

发明人： 小野和孝 ,  松尾优作 ,  野村周平

IPC分类号： C03C3/095 ,  C03C3/091 ,  C03C4/00 ,  H01Q1/38

摘要： 本发明涉及高频器件用玻璃基板、液晶天线和高频器件。本发明涉及一种高频器件用玻璃基板，其中，所述高频器件用玻璃基板的以氧化物基准的摩尔百分率计的含量满足：碱土金属氧化物：0.1％～13％、Al2O3+B2O3：1％～40％、Al2O3/(Al2O3+B2O3)：0～0.45、和Sc2O3等微量成分：0.1％～1.0％或ZnO+ZrO2：1.5％～4.0％，所述高频器件用玻璃基板以SiO2作为主要成分，并且所述高频器件用玻璃基板的35GHz下的介质损耗角正切为0.007以下。