公开(公告)号：CN102738036B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210087086.7

申请日：2012-03-28

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 丹尼尔·M·金泽 ,  史蒂文·萨普 ,  吴钟林 ,  奥斯博·乔 ,  比吉尔蒂斯·多斯多斯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L24/13 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 制造具有晶体管的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)器件的系统和方法包括使用双金属漏极接点技术，其中的晶体管具有在该晶体管一个侧面上的源极、漏极和栅极接点，同时仍然具有低漏源接通电阻RDS(on)的优异电性能。该RDS(on)通过利用硅通孔(TSV)来形成漏极接点或通过利用紧密连接于漏极漂移区的铜层而被进一步改善。

公开(公告)号：CN102246308A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980149202.X

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  阿肖克·沙拉 ,  丹尼尔·M·金泽 ,  迪安·E·普罗布斯特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明公开了具有提供增大的击穿电压和其他益处的特征的示例性功率半导体器件。

公开(公告)号：CN102396071B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080016769.2

申请日：2010-04-12

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 布鲁斯·D·马钱特 ,  丹尼尔·M·金泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：具有上表面和下表面的第一导电类型的半导体区，半导体区的下表面在衬底上延伸并且与衬底邻接。第二导电类型的阱区设置在半导体区内。该场效应晶体管还包括放置在阱区内的第一导电类型的源区以及在每个阱区上延伸并且与对应的一个源区重叠的栅电极。每个栅电极通过栅极电介质与下部的阱区绝缘。在每两个邻近阱区之间的半导体区中设置了第一半导体类型的至少一个LDD区，使得该至少一个LDD区与之间设置该该至少一个LDD区的两个邻近阱区相接触。下沉区设置在该至少一个LDD区正下方的半导体区中，使得该至少一个LDD区和下沉区在半导体区的上表面和下表面之间沿着垂直方向设置。

公开(公告)号：CN102396071A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016769.2

申请日：2010-04-12

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 布鲁斯·D·马钱特 ,  丹尼尔·M·金泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：具有上表面和下表面的第一导电类型的半导体区，半导体区的下表面在衬底上延伸并且与衬底邻接。第二导电类型的阱区设置在半导体区内。该场效应晶体管还包括放置在阱区内的第一导电类型的源区以及在每个阱区上延伸并且与对应的一个源区重叠的栅电极。每个栅电极通过栅极电介质与下部的阱区绝缘。在每两个邻近阱区之间的半导体区中设置了第一半导体类型的至少一个LDD区，使得该至少一个LDD区与之间设置该该至少一个LDD区的两个邻近阱区相接触。下沉区设置在该至少一个LDD区正下方的半导体区中，使得该至少一个LDD区和下沉区在半导体区的上表面和下表面之间沿着垂直方向设置。

公开(公告)号：CN102246308B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200980149202.X

申请日：2009-11-25

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  阿肖克·沙拉 ,  丹尼尔·M·金泽 ,  迪安·E·普罗布斯特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明公开了具有提供增大的击穿电压和其他益处的特征的示例性功率半导体器件。

公开(公告)号：CN102738036A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210087086.7

申请日：2012-03-28

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 丹尼尔·M·金泽 ,  史蒂文·萨普 ,  吴钟林 ,  奥斯博·乔 ,  比吉尔蒂斯·多斯多斯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L24/13 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 制造具有晶体管的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)器件的系统和方法包括使用双金属漏极接点技术，其中的晶体管具有在该晶体管一个侧面上的源极、漏极和栅极接点，同时仍然具有低漏源接通电阻RDS(on)的优异电性能。该RDS(on)通过利用硅通孔(TSV)来形成漏极接点或通过利用紧密连接于漏极漂移区的铜层而被进一步改善。