一种取向硅钢Goss织构调控方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119571031A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411757727.4

    申请日:2024-12-03

    Abstract: 本发明涉及一种取向硅钢Goss织构调控方法,包括炼钢、连铸、热轧、常化、冷轧、一次再结晶退火、二次再结晶退火;其中冷轧每道次压下率为30%~40%;一次再结晶退火板温控制在800~830℃,时间3~6min;二次再结晶退火板温控制在900~1150℃,时间0.25~4h。与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明通过控制冷轧工艺以及一次再结晶退火工艺,调控一次再结晶退火后一次再结晶组织中Goss种子的比例以及Goss种子周围晶粒的取向环境,使Goss晶粒在二次再结晶退火二次再结晶过程中迅速长大,进而获取高锋锐Goss织构的取向硅钢成品,以提高取向硅钢的磁性能,其中0.20mm厚度规格取向硅钢磁感应强度B800可达1.85‑1.95T,0.18mm厚度规格取向硅钢磁感应强度B800可达1.92‑1.98T。

Patent Agency Ranking