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公开(公告)号：CN118285031A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280076517.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 一种激光芯片及光模块(200)，激光芯片集成有增益区、光栅区和电吸收调制区，增益区产生光束，光栅区对光束进行波长调谐；电吸收调制区的量子阱具有特殊的结构设计，保证优良的传输性能，进一步提高信号调制速度；同时量子阱衬底层和金属电极之间、回置层和金属电极之间、量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN114156732A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111432015.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的激光芯片及光模块中，激光芯片集成有增益区、光栅区和电吸收调制区，增益区产生光束，光栅区对光束进行波长调谐；电吸收调制区的量子阱具有特殊的结构设计，保证优良的传输性能，进一步提高信号调制速度；同时量子阱衬底层和金属电极之间、回置层和金属电极之间、量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层；本申请实施例中的电吸收调制区通过特殊设计进而实现25G信号调制速度，满足10公里传输距离要求。因此，本申请实施例中的激光芯片为一款集成增益、波长可调节、电信号调制功能于一身的芯片。
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公开(公告)号：CN115085005A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110267875.8
申请日：2021-03-11
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；EML芯片包括：衬底；EAM‑MQW层，设置在衬底的上方；DFB‑MQW层，设置在EAM‑MQW层的上方；光栅层，设置在DFB‑MQW层的上方；InP包层，沉积设置在光栅层的上方；电极层，刻蚀设置在InP包层的上表面，电极层包括DFB正电极、EAM正电极和EML负电极，DFB正电极和EAM正电极之间设置电隔离区，DFB正电极位于DFB‑MQW层的上方。通过EAM‑MQW层上方设置DFB‑MQW层实现DFB‑MQW和EAM‑MQW的堆叠，减少EML芯片制作复杂性，以提升EML制成速度，提高EML晶元的良率和稳定性，便于保证EML芯片的一致性。
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公开(公告)号：CN114937924A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210601931.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Inventor： 章力明
Abstract: 本申请提供的激光芯片制备方法、激光芯片及光模块中，在InP材料的衬底层上生长含有铝铟镓砷量子陉结构的基片；在基片上表面通过光刻形成SiO2掩膜层，并对基片进行掩膜刻蚀，得到台面结构；利用MOCVD CBr4原位清洗，沿台面结构生长掩埋层；利用MOCVD，沿掩埋层生长阻挡层；然后继续生长，得到预设厚度的激光芯片；通过掩埋层可以将台面结构的刻蚀面保护起来，以避免台面结构外表面被空气氧化，降低在得到台面结构后续过程中再生长和刻面涂层的难度，同时由于台面结构外表面被空气强化程度降低，可改善表面形貌，进而保证AlInGaAs量子阱激光芯片的性能。
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公开(公告)号：CN115528540A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110641939.6
申请日：2021-06-09
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，包括：衬底；N电极，设置在所述衬底的第一面上；有源区，设置在所述衬底的第二面上，所述第二面与所述第一面相对设置；脊波导，设置在所述有源区的上方；掩埋层，设置在所述脊波导的两侧且位于所述有源区的上方；P电极，设置在所述脊波导和所述掩埋层的上方；其中，所述脊波导包括：特殊设计层，设置在所述有源区的上方，所述特殊设计层用于改变光场分布；接触层，设置在所述特殊设计层的上方。本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，特殊设计层可用于改变光场分布，因此在制备激光器上脊波导的过程中无需刻蚀到有源区中，进而减低铝镓铟砷因暴露在空气中而氧化的概率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115528533A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110641298.4
申请日：2021-06-09
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，包括：衬底；第一保护层，设置在衬底上方的一端；第二保护层，设置在衬底上方的另一端；有源区，设置在衬底的上方，且位于第一保护层和第二保护层之间；其中，所述有源区包括：缓冲层，设置在衬底的上方；下波导层，设置在缓冲层的上方；铝镓铟砷多量子阱有源层，设置在下波导层的上方；上波导层，设置在铝镓铟砷多量子阱有源层的上方；过渡层，设置在上波导层的上方；保护层，设置在过渡层的上方；光栅层，设置在保护层中。本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，采用第一保护层和第二保护层形成激光器的出光端面，有效避免了含铝材料暴露在空气中发生氧化，提高了激光器的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN119156750A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202280090574.5
申请日：2022-12-06
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Inventor： 章力明
Abstract: 一种激光芯片(600)制备方法、激光芯片(600)及光模块(200)，在InP材料的衬底层(610)上生长含有铝铟镓砷量子阱结构的基片(620)；在基片(620)上表面通过光刻形成SiO2掩膜层(630)，并对基片(620)进行掩膜刻蚀，得到台面结构(640)；利用MOCVD CBr4原位清洗，沿台面结构(640)生长掩埋层(650)；利用MOCVD，沿掩埋层(650)生长阻挡层(660)；然后继续生长，得到预设厚度的激光芯片(600)；通过掩埋层(650)可以将台面结构(640)的刻蚀面保护起来，以避免台面结构(640)外表面被空气氧化，降低在得到台面结构(640)后续过程中再生长和刻面涂层的难度，同时由于台面结构(640)外表面被空气氧化程度降低，可改善表面形貌，进而保证AlInGaAs量子阱激光芯片(600)的性能。
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公开(公告)号：CN118975074A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202280094252.8
申请日：2022-12-23
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 一种电吸收调制激光器和光模块，电吸收调制激光器包括衬底(580)和并排设置于衬底(580)上方的DFB量子阱(513)和EAM量子阱(522)，设置于衬底(580)下方的N面电极(570)，设置于DFB量子阱(513)上方的光栅层(512)，设置于光栅层(512)和EAM量子阱(522)上方的导电覆盖层(590)，高反射镀膜层(540)、增透镀膜层(550)与N面电极(570)、导电覆盖层(590)形成闭合空间，增透镀膜层(550)与导电覆盖层(590)之间设置窗口区域(560)，窗口区域包括InP填充区(562)和InGaAs吸光区(561)，InP填充区(562)位于衬底(580)和InGaAs吸光区(561)之间。
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公开(公告)号：CN114976872A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110206578.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；所述EML芯片包括：衬底；DFB‑MQW层，设置在所述衬底的上方；EAM‑MQW层，设置在所述衬底的上方，所述EAM‑MQW层的首端连接所述DFB‑MQW层的末端；光栅层，设置在所述DFB‑MQW层的上方；InP包层，设置在所述EAM‑MQW层和所述光栅层的上方，且所述InP包层的上方设置有电隔离区，所述电隔离区的左侧设置DFB正电极和EML负电极，所述DFB正电极位于所述DFB‑MQW层的上方，所述电隔离区的右侧设置EAM正电极，所述EAM正电极位于所述EAM‑MQW层的上方。本申请实施例的EML芯片及光模块，充分提高光发射调制速率。
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公开(公告)号：CN109802299A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910216626.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其包括：器件主体，器件主体的底部设有衬底，衬底上部设有波导层，波导层上方设有轻度掺杂层，轻度掺杂层内部的前端嵌入有光栅，轻度掺杂层的上方设有重度掺杂层，重度掺杂层的上方设有P金属层，P金属层的上方与电极相连接；器件主体的后端面为高反射面，器件主体的前端面为低反射面，器件主体中所产生的激光通过波导层中的光栅从低反射面射出；本发明通过对激光器的构造进行了改进，使其在满足了输出光功率的需求同时，极大地降低了输入激光器的功率，其极大地降低了能耗，满足了当今社会对节能环保的要求。
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