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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118975074A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202280094252.8
申请日：2022-12-23
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 一种电吸收调制激光器和光模块，电吸收调制激光器包括衬底(580)和并排设置于衬底(580)上方的DFB量子阱(513)和EAM量子阱(522)，设置于衬底(580)下方的N面电极(570)，设置于DFB量子阱(513)上方的光栅层(512)，设置于光栅层(512)和EAM量子阱(522)上方的导电覆盖层(590)，高反射镀膜层(540)、增透镀膜层(550)与N面电极(570)、导电覆盖层(590)形成闭合空间，增透镀膜层(550)与导电覆盖层(590)之间设置窗口区域(560)，窗口区域包括InP填充区(562)和InGaAs吸光区(561)，InP填充区(562)位于衬底(580)和InGaAs吸光区(561)之间。
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公开(公告)号：CN114976872A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110206578.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；所述EML芯片包括：衬底；DFB‑MQW层，设置在所述衬底的上方；EAM‑MQW层，设置在所述衬底的上方，所述EAM‑MQW层的首端连接所述DFB‑MQW层的末端；光栅层，设置在所述DFB‑MQW层的上方；InP包层，设置在所述EAM‑MQW层和所述光栅层的上方，且所述InP包层的上方设置有电隔离区，所述电隔离区的左侧设置DFB正电极和EML负电极，所述DFB正电极位于所述DFB‑MQW层的上方，所述电隔离区的右侧设置EAM正电极，所述EAM正电极位于所述EAM‑MQW层的上方。本申请实施例的EML芯片及光模块，充分提高光发射调制速率。
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公开(公告)号：CN115528540A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110641939.6
申请日：2021-06-09
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，包括：衬底；N电极，设置在所述衬底的第一面上；有源区，设置在所述衬底的第二面上，所述第二面与所述第一面相对设置；脊波导，设置在所述有源区的上方；掩埋层，设置在所述脊波导的两侧且位于所述有源区的上方；P电极，设置在所述脊波导和所述掩埋层的上方；其中，所述脊波导包括：特殊设计层，设置在所述有源区的上方，所述特殊设计层用于改变光场分布；接触层，设置在所述特殊设计层的上方。本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，特殊设计层可用于改变光场分布，因此在制备激光器上脊波导的过程中无需刻蚀到有源区中，进而减低铝镓铟砷因暴露在空气中而氧化的概率。
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公开(公告)号：CN115528533A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110641298.4
申请日：2021-06-09
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，包括：衬底；第一保护层，设置在衬底上方的一端；第二保护层，设置在衬底上方的另一端；有源区，设置在衬底的上方，且位于第一保护层和第二保护层之间；其中，所述有源区包括：缓冲层，设置在衬底的上方；下波导层，设置在缓冲层的上方；铝镓铟砷多量子阱有源层，设置在下波导层的上方；上波导层，设置在铝镓铟砷多量子阱有源层的上方；过渡层，设置在上波导层的上方；保护层，设置在过渡层的上方；光栅层，设置在保护层中。本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，采用第一保护层和第二保护层形成激光器的出光端面，有效避免了含铝材料暴露在空气中发生氧化，提高了激光器的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN218549071U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222484594.0
申请日：2022-09-19
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种电吸收调制激光器和光模块，电吸收调制激光器，包括：衬底和并排设置于衬底上方的DFB量子阱、EAM量子阱。N面电极，设置于衬底的下方。光栅层，设置于DFB量子阱上方。导电覆盖层，设置于光栅层与EAM量子阱上方。高反射镀膜层、增透镀膜层，与N面电极、导电覆盖层形成闭合空间；增透镀膜层与导电覆盖层之间设置窗口区域；窗口区域包括：InP填充区和InGaAs吸光区；InP填充区位于衬底与InGaAs吸光区之间。信号光在InP窗口区域出射光由波导光变为空间光传输，从而减小了出光面的端面反射，同时InGaAs吸光区可避免信号光经InP窗口区域射出从而形成侧光斑，提高光的耦合效率。
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