公开(公告)号：CN115085005A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110267875.8

申请日：2021-03-11

Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司

Inventor： 章力明 ,  吴名忠

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/34 ,  H01S5/042 ,  H04B10/25 ,  H04B10/40

Abstract: 本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；EML芯片包括：衬底；EAM‑MQW层，设置在衬底的上方；DFB‑MQW层，设置在EAM‑MQW层的上方；光栅层，设置在DFB‑MQW层的上方；InP包层，沉积设置在光栅层的上方；电极层，刻蚀设置在InP包层的上表面，电极层包括DFB正电极、EAM正电极和EML负电极，DFB正电极和EAM正电极之间设置电隔离区，DFB正电极位于DFB‑MQW层的上方。通过EAM‑MQW层上方设置DFB‑MQW层实现DFB‑MQW和EAM‑MQW的堆叠，减少EML芯片制作复杂性，以提升EML制成速度，提高EML晶元的良率和稳定性，便于保证EML芯片的一致性。

公开(公告)号：CN118285031A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280076517.1

申请日：2022-06-30

Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司

Inventor： 梁海波 ,  章力明 ,  马军涛 ,  吴名忠

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/42

Abstract: 一种激光芯片及光模块(200)，激光芯片集成有增益区、光栅区和电吸收调制区，增益区产生光束，光栅区对光束进行波长调谐；电吸收调制区的量子阱具有特殊的结构设计，保证优良的传输性能，进一步提高信号调制速度；同时量子阱衬底层和金属电极之间、回置层和金属电极之间、量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层。

公开(公告)号：CN114156732A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111432015.1

申请日：2021-11-29

Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司

Inventor： 梁海波 ,  章力明 ,  马军涛 ,  吴名忠

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/00 ,  G02B6/42

Abstract: 本申请提供的激光芯片及光模块中，激光芯片集成有增益区、光栅区和电吸收调制区，增益区产生光束，光栅区对光束进行波长调谐；电吸收调制区的量子阱具有特殊的结构设计，保证优良的传输性能，进一步提高信号调制速度；同时量子阱衬底层和金属电极之间、回置层和金属电极之间、量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层；本申请实施例中的电吸收调制区通过特殊设计进而实现25G信号调制速度，满足10公里传输距离要求。因此，本申请实施例中的激光芯片为一款集成增益、波长可调节、电信号调制功能于一身的芯片。