一种光模块
    1.
    发明公开
    一种光模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN119717161A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202311269222.9

    申请日:2023-09-28

    Inventor: 吴涛 慕建伟 洪进

    Abstract: 本申请公开了一种光模块,包括:上壳体与下壳体盖合形成壳体,以及位于壳体内部的电路板。光接收部件,位于电路板的下表面。光发射部件的发射壳体上表面设有第一光通道和第二光通道,发射壳体的下表面设有第一光纤容纳部和第二光纤容纳部,用于容纳第一内部光纤和第二内部光纤。发射壳体的第一侧壁依次设有位于同一高度处的第一光纤适配器、第二光纤适配器、第三光纤适配器和第四光纤适配器。发射壳体的下表面设有第一光纤容纳部和第二光纤容纳部,第一光纤容纳部与第三光纤通孔连通,第二光纤容纳部与第三光纤通孔连通。本申请通过合理安排光发射部件、光接收部件的位置以及光模块光口的中心高度,减少了光学部件的数量,减小光模块空间。

    一种光模块及混合InP/Si光芯片组件

    公开(公告)号:CN119717166A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202410135176.1

    申请日:2024-01-31

    Abstract: 本公开提供的光模块及混合InP/Si光芯片组件中,包括混合InP/Si光芯片;混合InP/Si光芯片包括:Si平台,集成有硅光电路Si平台上设置有InP区域,InP区域无焊盘;Si平台的顶部设置射频焊盘和直流偏置焊盘,射频焊盘位于InP区域的一侧,直流偏置焊盘位于InP区域的另一侧;InP相位调制器,位于InP区域;InP相位调制器包括InP波导和电极,电极设置在InP波导的顶部,InP波导耦合连接直流偏置焊盘;射频行波导,一端连接射频焊盘、延伸经过InP波导的上方并延伸至InP区域的另一侧;射频行波导连接电极。提升了相位调制器的调制速率,适应高速率光模块的需求。

    一种光模块
    3.
    发明公开
    一种光模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN119717162A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202311271735.3

    申请日:2023-09-28

    Inventor: 吴涛 慕建伟 洪进

    Abstract: 本申请公开了一种光模块,包括:电路板设有底座安装部,底座覆盖部分的底座安装部。底座设置于电路板的下表面。底座的承载平台上表面凸起形成凸起部。光接收部件位于底座的上表面。光发射部件,位于底座的下表面,且光发射部件位于底座安装部处。底座安装部用于光发射部件的安装避让。第一凹陷部的底面相对承载平台下表面凹陷,以使光发射部件与电路板之间的电连接线最短。光发射部件的半导体制冷器的热面连接有正负电源导线,电路板的上表面设有导电引脚,导电引脚位于所述第三缺口处,半导体制冷器热面的正负电源导线与导电引脚导线连接。

    混合InP/Si光芯片的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119717137A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202410135674.6

    申请日:2024-01-31

    Abstract: 本公开提供的混合InP/Si光芯片的制备方法及应用,制备方法包括:形成第一衬底,第一衬底包括衬底层和BOX层,BOX层位于衬底层的上方;在BOX层上方形成Si波导层,刻蚀Si波导层形成输入Si波导和输出Si波导;在刻蚀后的Si波导层周围形成第一SiO2层;在第一SiO2层上方设置InP裸片,InP裸片包括n‑InP层、第一i‑InP层、量子肼层、第二i‑InP层、p‑InP层和第二衬底;刻蚀InP裸片形成InP波导;在InP波导的侧边形成第二SiO2层,第一SiO2层和第二SiO2层形成SiO2层;在第二SiO2层的顶部形成射频焊盘、直流偏置焊盘、射频行波导和电极。适应高速率光模块的需求。

    一种激光器、混合集成光芯片及光模块

    公开(公告)号:CN222381056U

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202421234608.6

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 本公开提供的激光器、混合集成光芯片及光模块中,激光器从上至下包括:P‑InP欧姆接触层、P型InP层、量子阱层、N‑InP欧姆接触层、N型InP层及波导层。其中,P型InP层向量子阱层提供P型载流子,N型InP层向量子阱层提供N型载流子。P型载流子与N型载流子在量子阱层内复合产生光。波导层位于量子阱的下方。波导层的光学限制因子大于量子阱层的光学限制因子,因此量子阱层内的光场较大,从而向下耦合至波导层内,然后经波导层输出光。本公开实施例提供的激光器发光形态为向下发光,然后水平输出。本公开实施例提供的激光器可被集成于硅光类的光芯片中,从而将发光与调制集成于同一芯片中。

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