-
公开(公告)号：CN119717166A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410135176.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的光模块及混合InP/Si光芯片组件中，包括混合InP/Si光芯片；混合InP/Si光芯片包括：Si平台，集成有硅光电路Si平台上设置有InP区域，InP区域无焊盘；Si平台的顶部设置射频焊盘和直流偏置焊盘，射频焊盘位于InP区域的一侧，直流偏置焊盘位于InP区域的另一侧；InP相位调制器，位于InP区域；InP相位调制器包括InP波导和电极，电极设置在InP波导的顶部，InP波导耦合连接直流偏置焊盘；射频行波导，一端连接射频焊盘、延伸经过InP波导的上方并延伸至InP区域的另一侧；射频行波导连接电极。提升了相位调制器的调制速率，适应高速率光模块的需求。
-
公开(公告)号：CN119717137A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410135674.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的混合InP/Si光芯片的制备方法及应用，制备方法包括：形成第一衬底，第一衬底包括衬底层和BOX层，BOX层位于衬底层的上方；在BOX层上方形成Si波导层，刻蚀Si波导层形成输入Si波导和输出Si波导；在刻蚀后的Si波导层周围形成第一SiO2层；在第一SiO2层上方设置InP裸片，InP裸片包括n‑InP层、第一i‑InP层、量子肼层、第二i‑InP层、p‑InP层和第二衬底；刻蚀InP裸片形成InP波导；在InP波导的侧边形成第二SiO2层，第一SiO2层和第二SiO2层形成SiO2层；在第二SiO2层的顶部形成射频焊盘、直流偏置焊盘、射频行波导和电极。适应高速率光模块的需求。
-
公开(公告)号：CN222381056U
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202421234608.6
申请日：2024-05-31
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的激光器、混合集成光芯片及光模块中，激光器从上至下包括：P‑InP欧姆接触层、P型InP层、量子阱层、N‑InP欧姆接触层、N型InP层及波导层。其中，P型InP层向量子阱层提供P型载流子，N型InP层向量子阱层提供N型载流子。P型载流子与N型载流子在量子阱层内复合产生光。波导层位于量子阱的下方。波导层的光学限制因子大于量子阱层的光学限制因子，因此量子阱层内的光场较大，从而向下耦合至波导层内，然后经波导层输出光。本公开实施例提供的激光器发光形态为向下发光，然后水平输出。本公开实施例提供的激光器可被集成于硅光类的光芯片中，从而将发光与调制集成于同一芯片中。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.03 seconds)
