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公开(公告)号:CN222381056U
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202421234608.6
申请日:2024-05-31
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的激光器、混合集成光芯片及光模块中,激光器从上至下包括:P‑InP欧姆接触层、P型InP层、量子阱层、N‑InP欧姆接触层、N型InP层及波导层。其中,P型InP层向量子阱层提供P型载流子,N型InP层向量子阱层提供N型载流子。P型载流子与N型载流子在量子阱层内复合产生光。波导层位于量子阱的下方。波导层的光学限制因子大于量子阱层的光学限制因子,因此量子阱层内的光场较大,从而向下耦合至波导层内,然后经波导层输出光。本公开实施例提供的激光器发光形态为向下发光,然后水平输出。本公开实施例提供的激光器可被集成于硅光类的光芯片中,从而将发光与调制集成于同一芯片中。