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公开(公告)号:CN115052742A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202080094656.8
申请日:2020-12-28
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,提供由基材,例如半导体前体基板等基板;以及与其密合,不含空隙等的平坦的有机硅密封层构成的层叠体,以及具有同种或异种的两个基材隔着夹持于它们之间的、不含空隙等的有机硅层粘接的结构的层叠体。本发明的目的还在于,提供一种层叠体和由该层叠体构成的低应力的电子装置,该层叠体通过使用特定的组成的固化性热熔有机硅组合物层,即使在固化性热熔有机硅组合物固化后,也不易对基板施加应力。本发明的层叠体包含基材;以及与该基材相接的固化性热熔有机硅组合物层,该固化性热熔有机硅组合物层包含如下聚有机硅氧烷树脂,该聚有机硅氧烷树脂含有全部硅氧烷单元的至少20摩尔%以上的选自由T单元或Q单元构成的组中的硅氧烷单元,利用流动试验仪在2.5MPa的压力下测定的100℃下的熔融粘度为5000Pa·s以下。
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公开(公告)号:CN119908026A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202380067762.0
申请日:2023-10-24
Applicant: 陶氏东丽株式会社 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 在现有技术中,无法获得一种不使用光刻技术的半导体制造用导电柱模块,该半导体制造用导电柱模块可以用于倒装芯片封装的基板的二次布线,或用于在后芯片(RDL优先)封装中形成再配置层(RDL)。本发明提供一种半导体制造用导电柱模块前体、半导体或半导体前体及其制造方法,所述半导体制造用导电柱模块前体具备由片状的树脂固化物担载有导电柱部件的结构,且具有对基板的足够的密合性、应力缓和性和耐久性。
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公开(公告)号:CN108026373B
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:CN201680054833.3
申请日:2016-10-12
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C08L83/08 , B29C35/08 , B29C43/30 , C08G75/045 , C08G81/00 , C08L83/07 , C09J7/30 , C09J11/06 , C09J183/07 , C09J183/08
Abstract: 本发明涉及一种活性能量射线可固化的热熔融有机硅组合物,其在25℃下不可流动并且在100℃下具有1,000Pa·s或小于1,000Pa·s的粘度,并且所述组合物包含:(A)具有含脂族不饱和键的有机基团的有机聚硅氧烷和具有或不具有含脂族不饱和键的有机基团的有机聚硅氧烷的混合物,(B)在分子中具有至少两个巯基基团的化合物,以及(C)光自由基引发剂。
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