磁传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107229022A

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201710139926.2

    申请日:2017-03-09

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种进行了结构上的改善使得具有良好的传感器灵敏度的磁传感器容易适当发挥本来的功能的磁传感器。磁传感器(10)具备:第1磁阻效应元件(21),位于基板(15)的第1面(15A)上,并具有沿着作为第1面(15A)的面内方向之一的第1方向的灵敏度轴;定位用软磁性体(40b),规定第1最近部位(40E1)相对于第1磁阻效应元件(21)的相对位置,并相对于第1磁阻效应元件(21)非接触地设置;和第1软磁性体(35)以及第2软磁性体(36),沿着第1方向并排设置,分别向远离第1面(15A)的方向延伸,第1软磁性体(35)以及第2软磁性体(36)分别与定位用软磁性体(40b)磁连接。

    磁检测装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104635184B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201410641296.5

    申请日:2014-11-13

    CPC classification number: G01R33/0017 G01R33/093

    Abstract: 提供一种磁检测装置,通过磁场感应层在第一方向上感应出的磁场通过在与感应方向正交的第二朝向上具有灵敏度轴的磁传感器来检测,是能够使针对第二朝向的磁场成分的灵敏度降低、并且不易受来自外部的较强的磁场的影响的构造。Z方向的磁场成分通过磁场感应层(30)而感应出来并沿与磁传感器(20)的灵敏度轴方向相同的X方向被赋予至磁传感器(20)而获得检测输出。用多个磁传感器(20)组成电桥电路,而构成为相对于X方向的磁场成分不做出输出。但是,X方向的外部磁场被磁场感应层(30)牵引,从而有时X方向的灵敏度产生偏差。因此,使磁场感应层(30)的第一部分(31)的软磁特性劣化,使透磁率降低。

    磁检测装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104635184A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201410641296.5

    申请日:2014-11-13

    CPC classification number: G01R33/0017 G01R33/093

    Abstract: 提供一种磁检测装置,通过磁场感应层在第一方向上感应出的磁场通过在与感应方向正交的第二朝向上具有灵敏度轴的磁传感器来检测,是能够使针对第二朝向的磁场成分的灵敏度降低、并且不易受来自外部的较强的磁场的影响的构造。Z方向的磁场成分通过磁场感应层(30)而感应出来并沿与磁传感器(20)的灵敏度轴方向相同的X方向被赋予至磁传感器(20)而获得检测输出。用多个磁传感器(20)组成电桥电路,而构成为相对于X方向的磁场成分不做出输出。但是,X方向的外部磁场被磁场感应层(30)牵引,从而有时X方向的灵敏度产生偏差。因此,使磁场感应层(30)的第一部分(31)的软磁特性劣化,使透磁率降低。

    磁传感器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103299202B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201180064769.4

    申请日:2011-12-28

    CPC classification number: G01R33/093 B82Y25/00 H01L43/08

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种能够使强磁场抗性提高的磁传感器。本实施方式的磁传感器具有:多个元件部(9);配置在各元件部的两侧的偏压层(10);与各元件部及各偏压层非接触的软磁性体(12)。元件部(9)的灵敏度轴向(P1)及偏压层(10)的磁化方向为Y1-Y2方向。各偏压层(10)构成为对元件部(9)沿着X1-X2方向供给偏压磁场。各软磁性体构成为,在作用有X1-X2方向的外部磁场时能够将磁场变换为大致Y1-Y2方向并向元件部(9)供给。在俯视观察下在元件部(9)与软磁性体(12)之间设有间隔(T1),并且偏压层(10)在俯视观察下未重叠在将各软磁性体(12)间的距离最短的缘部(12d)间呈直线状连结的虚拟线(E)上。另外,在元件连设体(17)的各软磁性体(12)之间不存在偏压层(10)。

    磁传感器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103299202A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201180064769.4

    申请日:2011-12-28

    CPC classification number: G01R33/093 B82Y25/00 H01L43/08

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种能够使强磁场抗性提高的磁传感器。本实施方式的磁传感器具有:多个元件部(9);配置在各元件部的两侧的偏压层(10);与各元件部及各偏压层非接触的软磁性体(12)。元件部(9)的灵敏度轴向(P1)及偏压层(10)的磁化方向为Y1-Y2方向。各偏压层(10)构成为对元件部(9)沿着X1-X2方向供给偏压磁场。各软磁性体构成为,在作用有X1-X2方向的外部磁场时能够将磁场变换为大致Y1-Y2方向并向元件部(9)供给。在俯视观察下在元件部(9)与软磁性体(12)之间设有间隔(T1),并且偏压层(10)在俯视观察下未重叠在将各软磁性体(12)间的距离最短的缘部(12d)间呈直线状连结的虚拟线(E)上。另外,在元件连设体(17)的各软磁性体(12)之间不存在偏压层(10)。

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