公开(公告)号：CN112106139A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202080001907.3

申请日：2020-08-13

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 张黄鹏 ,  杨诗洋 ,  王瑜 ,  曹华敏 ,  李婷 ,  侯旭

IPC: G11C11/407

Abstract: 本公开内容的各方面提供半导体存储设备。半导体存储设备包括存储单元阵列和与该存储单元阵列耦合的外围电路。存储单元阵列包括多个存储单元。外围电路包括可编程逻辑电路，该可编程逻辑电路被配置为在半导体存储设备上电之后执行逻辑功能。

公开(公告)号：CN118575220A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202380010332.5

申请日：2023-07-27

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 杜智超 ,  王瑜 ,  宋大植 ,  侯旭 ,  李丹阳

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H10B12/00 ,  G11C11/22

Abstract: 一种存储装置包括存储阵列结构和外围结构。所述存储阵列结构包括至少一个存储体，并且每个存储体包括多个存储块。所述外围结构包括字线驱动器电路和感测放大器电路。在所述存储装置的平面图中，包括所述字线驱动器电路和所述感测放大器电路的第一区域与包括存储块的第二区域至少部分地重叠。