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公开(公告)号：CN116192129A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211598187.0
申请日：2022-12-12
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于双极SR锁存器的数字鉴相器，包括反馈信号D触发器、参考信号D触发器、与门、或门、双级SR锁存器和超前滞后符号位D触发器。本发明通过反馈信号D触发器和参考信号输D触发器对反馈信号和参考信号进行采样，便于后续对信号的处理；然后通过或门完成对两个输入信号的相位误差鉴定操作，对两个信号实现与门操作并在输出为高电平时对两个输入端D触发器进行复位；最后通过双级SR锁存器完成对反馈信号相对于参考信号相位超前或滞后的关系描述进行输出信号，并通过输出端D触发器完成超前滞后符号位的保持功能。本发明可以输出两个输入信号的相位误差，并表示超前或滞后关系，与此同时本发明的输出误差信号速度很快。
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公开(公告)号：CN115441871A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211132495.4
申请日：2022-09-08
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明请求保护一种应用于流水线ADC的自适应后台校准系统，包括：采样保持模块，第一变频单元、第二变频单元，低速高精度ADC、待校准流水ADC、LMS自适应滤波器以及减法器；可校准流水线ADC因电容失配、有限运放增益、运放失调等非理想因素造成的线性误差。通过使用低速但高精度的ADC作为基准，与待校准的流水线ADC并联，并将两者的数字输出的差值送到数字自适应滤波器中进行处理，使流水线ADC的输出不断逼近低速但高精度ADC输出，从而达到数字校准的目的。这个过程中，正常的转换过程不受影响，不会降低原ADC的转换速度，具有校准精度高，收敛速度快、跟踪能力强等优点。
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公开(公告)号：CN112465134B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011351754.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于LIF(Leaky Integrate and Fire)模型的脉冲神经网络神经元电路，属于集成电路设计领域。该电路主要包括：膜电位积累电路、泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路及复位电路。本发明不仅实现了LIF神经元模型的积分泄露点火功能，还模拟了生物神经元的不应期特性，其中不应期可调。本发明基于CMOS工艺，电路结构简单，且电路中多采用亚阈值区MOS管，使神经元电路具有超低功耗特性；电路的输入电流为pA级，输出脉冲频率为Hz级，能很好模拟生物神经元的典型工作状态，有效地实现了神经元的功能，可用于实现大规模脉冲神经网络系统。
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公开(公告)号：CN115378231B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210961176.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于零电流检测的DC‑DC变换器调制模式切换电路，属于集成电路技术领域。包括CCM/DCM判断电路、PWM/PFM选择电路和功率管开关。其中CCM/DCM判断电路用于判断DC‑DC变换器工作模式，判断DC‑DC变换器是工作在DCM模式还是CCM模式。PWM/PFM调制电路用于产生PWM调制信号和PFM调制信号，分别用于DC‑DC的CCM工作模式和DCM工作模式。功率开关管有一组大尺寸功率开关管MH1和ML1，一组小尺寸功率开关管MH和ML，小尺寸功率开关主要用在DCM模式来减小开关损耗。PWM/PFM选择电路根据CCM/DCM判断电路产生的判断信号VCTL来进行PWM调制模式和PFM调制模式的选择，并且对功率开关管尺寸进行选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115656824A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211069491.6
申请日：2022-09-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01R31/36
Abstract: 本发明请求保护一种基于CNN‑LSTM模型的锂电池核电状态预测方法。该方法主要数据集准备、模型训练以及模型测试三个阶段组成。数据集准备阶段选取适用于该研究的数据集，对该数据集进行分析、预处理和分割；模型训练阶段探索并确定采用CNN‑LSTM模型，对模型训练结果进行误差分析、层级和超参数优化后保存最优模型；模型测试阶段验证模型是否能有效预测锂电池核电状态。本发明利用电池电流、电压、温度三个参数对电池核电状态进行预测；预测模型主要由1D‑CNN和LSTM构成，它们分别用于提取电池数据中的空间和时间特征，最后通过全连接层整合运算得预测值。本发明克服传统锂电池核电状态预测方法误差大、过度依赖电池模型的问题，具备高预测精度、收敛速度快等优点。
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公开(公告)号：CN115118282A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210879031.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明请求保护一种基于双曲正切函数的流水线ADC变步长LMS校准系统，包括待校准ADC，降频器，低速高精度ADC，LMS自适应滤波器和减法器。在传统LMS算法的基础上，引入双曲正切函数tanhx，通过建立步长与误差的非线性关系，u(n)＝αu(n‑1)+β2tanh(e(n‑1))，根据误差信号大小实时更新步长；同时在抽头权系数更新时增加一个与误差有关的扰动因子r(n)，抵消部分过大的迭代增量，减小抽头权系数的振荡幅度。待校准ADC的输出端与变步长LMS自适应滤波器的输入端相连，输出通过降频器降频后与减法器的一个输入端相连，减法器的另一个输入与低速高精度ADC的输出端相连接，输出端与滤波器的控制端相连，使得待校准的流水线ADC的输出逐渐逼近低速高精度ADC的输出。具有校准精度高，收敛速度快等优点。
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公开(公告)号：CN114978101A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210571685.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种温度补偿型声表面波滤波器，其包括滤波器压电基底、金属电极、SiO2温度补偿层和ZnO温度补偿层；其中金属电极位于压电基底上，SiO2温度补偿层位于压电基底上且不与金属电极重合的部分，ZnO温度补偿层位于SiO2温度补偿层上。本发明在0.2λ(λ为叉指周期)厚度的SiO2薄膜上覆盖ZnO薄膜，通过增加ZnO薄膜厚度，改善器件温度稳定性；当ZnO薄膜厚度为0.2λ时，即总膜厚为0.4λ时，频率温度系数(TCF)为‑9.94ppm/℃。在频率温度系数≤‑10ppm/℃的情况下，本发明相比于传统的温度补偿型声表面波滤波器，总膜厚减少了27％，器件性能也得到改善。
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公开(公告)号：CN115659880A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211067666.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F30/327 , G06F30/337 , G06F17/16 , G06F18/211
Abstract: 本发明请求保护一种基于奇异值分解的主成分分析算法的硬件电路及方法，属于无监督学习的降维算法的硬件实现技术。该电路包括下面的电路模块：控制模块、Hestense模块、CORDIC模块和雅可比旋转模块，其中，控制模块用于控制各个模块的时序和工作状态；Hestense模块用于计算CORDIC模块所需的参数，由乘法器、加法器、寄存器和RAM搭建构成；CORDIC模块用于计算反三角函数，由多路选择器、寄存器和移位器搭建构成；雅可比旋转模块用于计算输入数据的正交化结果，由四个乘法器、一个加法器和一个减法器搭建构成。
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公开(公告)号：CN115378231A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210961176.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于零电流检测的DC‑DC变换器调制模式切换电路，属于集成电路技术领域。包括CCM/DCM判断电路、PWM/PFM选择电路和功率管开关。其中CCM/DCM判断电路用于判断DC‑DC变换器工作模式，判断DC‑DC变换器是工作在DCM模式还是CCM模式。PWM/PFM调制电路用于产生PWM调制信号和PFM调制信号，分别用于DC‑DC的CCM工作模式和DCM工作模式。功率开关管有一组大尺寸功率开关管MH1和ML1，一组小尺寸功率开关管MH和ML，小尺寸功率开关主要用在DCM模式来减小开关损耗。PWM/PFM选择电路根据CCM/DCM判断电路产生的判断信号VCTL来进行PWM调制模式和PFM调制模式的选择，并且对功率开关管尺寸进行选择。
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