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公开(公告)号：CN108346711A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810129982.2
申请日：2018-02-08
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器及其制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN102169104A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010600096.7
申请日：2010-12-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N27/414 , F01N11/00
CPC classification number: Y02T10/47
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求。在MOSFET结构中，在原有的栅氧层上在生长一层氧敏薄膜材料(如YSZ)，金属栅电极采用金属Pt，该MOSFET型氧敏传感器的沟道可以是表面沟道也可以是埋型沟道。在该传感器中，氧浓度的变化可转变为栅氧层单位面积电容的变化，从而导致阈值电压的变化。同时，本发明还给出该SiCMOSFET型氧敏传感器的制作方法。
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公开(公告)号：CN102569420B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210006132.6
申请日：2012-01-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/87 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分，分割成多个正方形的阴极发射区，将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展开复用，并分别呈中心对称地分布在对应的基区P1和P2上，构成二维对称的多元胞集成结构，每个多元胞结构中的两个阴极短路区面积相等。本发明提高了单原胞半导体放电管的散热均匀性，减少了放电管开通时间，明显提高了器件的稳定性和可靠性。本发明可广泛应用于通信领域中的防雷击电子设备。
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公开(公告)号：CN101782038B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910191812.8
申请日：2009-12-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: F02P5/145
Abstract: 本发明公开了一种摩托车点火器用脉冲分离电路，涉及摩托车点火电路。它主要由一个正向脉冲处理电路、一个负向脉冲处理电路、两个脉冲比较放大器、两个施密特触发器及一个泄放通路组成。本发明电路将脉冲分离电路和摩托车自动进角控制电路集成在同一块芯片上，有效地解决了通用点火电路中存在的外围元件过多、调试不方便、成本过高等问题。并且，由于本发明电路采用两级放大器实现脉冲分离，大大地降低了摩托车点火的最低转速(小于50r/min)。
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公开(公告)号：CN108346711B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810129982.2
申请日：2018-02-08
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1971952A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610095206.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 重庆邮电大学
CPC classification number: H01L2224/16
Abstract: 本发明请求保护一种大功率LED芯片倒装焊方法，涉及微电子技术领域，本发明所采用的技术方案是在LED芯片上淀积TiNiAg层，在LED芯片电极上淀积金属铟，在硅基板上淀积TiNiAg层，对应于LED芯片电极位置的硅基电板上淀积铟，并在其上制作金球，然后将经上述加工的LED芯片与硅基板倒装焊接在一起，从而形成铟－金－铟焊装结构，以铟作为热膨胀缓冲，使LED芯片装焊的热膨胀失配率大大下降，热匹配性好，热阻小，热量散发快，从而大大提高了大功率LED的寿命。
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公开(公告)号：CN1949489A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610095207.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 重庆邮电大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明请求保护一种LED芯片散热装置及其制作方法，涉及微电子技术领域。主要用于大功率LED芯片的封装散热。本发明的技术方案是在LED芯片底层装散热片、半导体层及电极，LED芯片产生的热通过高导热基板传导散热，传给由散热片、N型半导体层、P型半导体层形成的电偶对，进行半导体致冷传导，然后再把热传导给散热片，进行散热。该装置散热速度快，大大改善了LED芯片散热效果，能大大延长LED器件寿命。
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公开(公告)号：CN108550592B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810281640.2
申请日：2018-04-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352
Abstract: 本发明请求保护一种低暗计数率CMOS SPAD光电器件，在常规的P+/N‑well型的SPAD结构基础上加入一层P阱层，P阱层位于P+层和N阱层的中间；于此同时，采用N阱间隙作为该结构的虚拟保护环，也就是在PN结的两侧加入N阱，如摘要附图所示。入射光射入器件在中心N阱处被吸收并产生光生载流子，PN结两侧所采用的是P阱层与N阱层，此时的雪崩结为P‑well/N‑well结，由于是轻掺杂雪崩结，耗尽区宽度变宽，减少了载流子带间隧穿的概率，从而降低了暗计数率。同时采用虚拟保护环抑制PN结的边缘击穿，虚拟保护的形成原理是相邻N阱之间存在横向扩散，从而在PN结出形成了n‑的虚拟保护环。该结构从保护环以及耗尽区宽度两方面进行设计，降低器件的暗电流，从而降低其暗计数率。
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公开(公告)号：CN102507704A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110316787.9
申请日：2011-10-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N27/419 , H01L29/872 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO2氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO2氧气敏感层，该氧气敏感层上溅射金属铂电极I，形成肖特基接触；SiC衬底层的另一侧依次设置有高掺杂n+层、钛-铂金属复合叠层，作为肖特基势垒二极管结构中的欧姆接触；本发明利用了碳化硅材料能满足传感器高温工作要求；由于金属铂电极的催化作用，TiO2氧气敏感层具有良好的氧敏特性，利用金属、半导体接触的氧传感器结构，检测氧气浓度的变化，该氧传感器具有很快的响应速度、极高的灵敏度、具有制作成本较低、制备工艺成熟、传感器重量较轻等优点。
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公开(公告)号：CN108550592A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810281640.2
申请日：2018-04-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352
Abstract: 本发明请求保护一种低暗计数率CMOS SPAD光电器件，在常规的P+/N-well型的SPAD结构基础上加入一层P阱层，P阱层位于P+层和N阱层的中间；于此同时，采用N阱间隙作为该结构的虚拟保护环，也就是在PN结的两侧加入N阱，如摘要附图所示。入射光射入器件在中心N阱处被吸收并产生光生载流子，PN结两侧所采用的是P阱层与N阱层，此时的雪崩结为P-well/N-well结，由于是轻掺杂雪崩结，耗尽区宽度变宽，减少了载流子带间隧穿的概率，从而降低了暗计数率。同时采用虚拟保护环抑制PN结的边缘击穿，虚拟保护的形成原理是相邻N阱之间存在横向扩散，从而在PN结出形成了n-的虚拟保护环。该结构从保护环以及耗尽区宽度两方面进行设计，降低器件的暗电流，从而降低其暗计数率。
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