公开(公告)号：CN108346711B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201810129982.2

申请日：2018-02-08

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 唐政维 ,  华伟 ,  王巍 ,  王冠宇 ,  杨庆荣

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。

公开(公告)号：CN108346711A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810129982.2

申请日：2018-02-08

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 唐政维 ,  华伟 ,  王巍 ,  王冠宇 ,  杨庆荣

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器及其制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。