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公开(公告)号：CN108976914B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810923356.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种高分散的铜纳米线导电墨水是由铜纳米线、电荷调节剂、表面活性剂和去离子水为原材料制得。本发明制膜后处理温度低，50~100℃均可处理；铜纳米线薄膜加热除去分散剂时不需要氮气、氢气等保护气体，制备装置简单，生产过程更加安全，生产成本更低，本发明铜纳米线分散溶剂为水，制备过程不会聚集，分散均匀使得透明导电薄膜具有很高的均匀度，整张薄膜方阻分布不均匀程度小于5%，本发明所制得的铜纳米线导电薄膜导电性好，方阻在10~100Ω/sq之间，透过率在85~95%，同时对环境极为友好，适合市场推广应用。
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公开(公告)号：CN110372895A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910539502.4
申请日：2019-06-20
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公开了一种低热膨胀系数SiO2/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。该复合材料由基体材料刚性聚酰亚胺与SiO2原位复合而成，基体聚酰亚胺是由1,2,4,5-均苯四甲酸二酐(PMDA)与2-(4-氨基苯基)-5-氨基-苯并噁唑(BOA)缩聚制得。本发明SiO2/聚酰亚胺复合材料制备工艺简单，SiO2在基体材料中分散较好。与现有技术相比，本发明提供的SiO2/聚酰亚胺复合薄膜，在基材的分子结构中引入了刚性的PMDA与BOA结构单元，同时BOA的高耐热性，使得所制SiO2/聚酰亚胺复合薄膜展现出高热稳定性及低热膨胀系数。能够较好的满足于集成电路和芯片封装技术方面对硅基材料热匹配的要求，可以应用于微电子行业，如电子封装领域多层布线技术中的绝缘层；也可用于太阳能电池中的绝缘层等。因而，具有较为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105111825B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510648265.7
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公布了一种醇基银纳米线导电墨水及其导电薄膜的制备方法，其墨水组成为：银纳米线，0.2‑1.5%；氟碳表面活性剂，0.005‑0.05%；小分子分散剂，0.1‑2%；小分子流平剂，1‑3%；小分子保湿剂，2‑5%；小分子消泡剂，1‑2%；有机醇类溶剂，86.45‑95.695%。其薄膜制备过程为：在衬底上涂覆一层粘结剂溶液，干燥后得到粘结层；然后将（1）配制的墨水涂覆在粘结层上，烘干得银导电网络；最后涂覆一层保护层，干燥得最终的导电薄膜。该墨水涂覆后仅需简单热处理即可得到高性能的银纳米线网络。该薄膜的性能优越，能广泛用于触摸屏等电子产品领域。
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公开(公告)号：CN105566331B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610051388.7
申请日：2016-01-26
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C07D487/04 , C09K11/06 , G01N21/64
Abstract: 本发明提供了一种能同时检测氟离子和二氧化碳的荧光探针分子。该类分子是以吲哚[3,2‑b]咔唑为骨架，以苯基等芳香类基团或正己基等烷基类基团为取代基构建的。这类分子制备提纯简单、产率高、价格便宜。同时，该类分子对氟离子有很高的选择性和检测灵敏度，瞬时响应，检测限达0.6mg L‑1。在加入TBAF活化后，该类分子对二氧化碳也有很好的检测性能，其检测限达1*10‑6M。本发明分子能同时检测氟离子和二氧化碳，简化了检测仪器的结构，具有较好的应用前景，可以在水污染、饮用水、大气等检测领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN105086908B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510646143.4
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C09J163/00 , C09J9/02 , C09J11/08 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明公布了一种中温快速固化的水相导电银胶，其组成包括：片状银粉，50‑60%；双酚A 环氧树脂，10‑20%；非离子乳化及表面活化剂，5‑10%；固化剂，2‑5%；固化促进剂，0.5‑1%；水，5‑10%；羟丙基甲基纤维素，1‑3%；对苯二甲酸，0.5‑1%；纳米二氧化硅，0.5‑1%；水溶性消泡剂，0.1‑0.5%；ICAM8401或8402，0.1‑0.5%。该导电银胶使用水作为溶剂，无污染。在中常温下即可快速固化，方便使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105118546B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510648860.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公布了一种新型氧化物保护的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法，其制备步骤为：将衬底清洗并进行等离子处理；在衬底上涂覆一层粘结剂，红外灯烘干；将银纳米线导电墨水涂覆在衬底上，干燥后得到银导电网络；将导电氧化物溶液涂覆在银导电网络上，干燥后得到银纳米线导电薄膜。该方法制备的银透明导电薄膜和衬底的粘结性好，导电性高、透光率高，可以用于电子信息产业的很多方面。
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公开(公告)号：CN105131719A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510646463.X
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公布了一种防护粘结性强的醇基银纳米线导电墨水，其组成为：银纳米线，0.2-1.5%;DJB-823固体薄膜保护剂，0.1-0.5%；氟碳表面活性剂，0.005-0.05%；小分子分散剂，0.1-2%；小分子流平剂，1-3%；小分子保湿剂，2-5%；小分子消泡剂，1-2%；有机醇类溶剂+其他溶剂，83.45-95.495%。该墨水使用了获得“国家发明二等奖”，广泛用于航空航天以及军工用品中的DJB-823固体薄膜保护剂。该保护剂一方面使制成的导电薄膜与衬底有极强的粘结性，另一方面对薄膜有很强的防护作用。最重要的是，该保护剂和一般高分子不一样，在薄膜中不影响薄膜的导电性。因而，本发明制备的薄膜具有极好的性能，能在电子信息产业广泛应用。
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公开(公告)号：CN105128451A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510646975.6
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
CPC classification number: B32B15/08 , B32B7/10 , B32B37/1284 , B32B37/15 , B32B38/0008 , B32B38/162 , B32B38/164 , B32B2260/046
Abstract: 本发明公布了一种防腐蚀的银导电薄膜的制备方法，其制备步骤为：将衬底进行清洗、干燥和等离子处理；在衬底上涂覆一层粘结剂，烘干；将银纳米线导电墨水涂覆在粘结层上，干燥后得到银导电网络；将可溶性氟树脂涂覆在导电网络上，烘干后得到一种防腐蚀的导电薄膜。该导电薄膜因为表面有防腐蚀的氟树脂，可用于高端电子产品和一些特殊场合。
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公开(公告)号：CN105086632A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510646158.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C09D11/52
Abstract: 本发明公布了一种尺寸均匀的银导电墨水，其制备过程为：银纳米线与颗粒的制备，有机高分子材料的分离；混合墨水的配制；墨水的尺寸分离从而得到尺寸均匀的导电墨水；墨水浓度的调配。制备出的墨水中的银纳米材料尺寸均匀，可根据不同需求选用不同尺寸的墨水。同时，该制备方法避免了大部分银墨水制备中将很多尺寸不合适的银材料舍弃的问题而将生产出的银纳米材料分门别类、各尽所用，极大地降低了成本，能广泛用于电子信息产品领域。
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