一种均匀的高长径比银纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN105081351A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510645800.3

    申请日:2015-10-09

    CPC classification number: B22F9/24

    Abstract: 本发明提供了一种均匀的高长径比银纳米线的制备方法。将硝酸银在一定温度下溶解于丙三醇中,配置成溶液A;将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)在一定温度下溶解于丙三醇中,配置成溶液B;将溶液A和溶液B混合均匀成溶液C;再添加一定量的介质在溶液C中,混合均匀成溶液D,最后将溶液D转移至反应釜中放在已设定温度的烘箱中,反应一定时间后结束反应。将反应物离心分离2次得到沉淀物银纳米线。该方法加入介质,可以提高离子在反应溶液中的运动速度,得到长径比高的银纳米线,制备方法简单易操作,且实验稳定,可适于工业生产。

    一种强超声辅助制备组织均匀的高致密陶瓷装置

    公开(公告)号:CN108748613A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810730250.9

    申请日:2018-07-05

    CPC classification number: B28B3/003 B28B7/42

    Abstract: 本发明公开了一种强超声辅助制备组织均匀的高致密陶瓷装置,包括模具主体和加强板,所述模具主体的上端设置有连接杆,且连接杆的上端固定有法兰盘,所述模具主体的外侧固定有换能器,且换能器的外侧通过导波管与超声波发射器相连接,所述换能器的外侧安装有固定环,且固定环的内部固定有导水管,所述导水管的后端连接有模具主体,且模具主体的内部设置有成型模芯,所述成型模芯与模具主体之间设置有冷却腔,所述加强板的两侧连接有成型模芯和模具主体。该强超声辅助制备组织均匀的高致密陶瓷装置设置有换能器和超声波发射器,可以使陶瓷粉末均匀的分布到模具各个区域,以保证陶瓷粉末成型后产品的质量,提高了整个装置的使用价值。

    一种高长径比银纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN105081349A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510645702.X

    申请日:2015-10-09

    Abstract: 本发明提供了一种高长径比银纳米线的制备方法。将卤化物溶解于丙三醇,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于丙三醇溶液,硝酸银溶解于丙三醇溶液,然后卤化物溶液和硝酸银溶液加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶液中混合均匀,再将混合溶液转移至反应釜中,最后放入已升温至150℃的烘箱保温一定时间,结束反应,将反应釜与烘箱一起冷却;待烘箱和反应釜完全冷却后,将反应釜取出,取其含A g纳米线的母液,加入酒精稀释后离心分离有机物,得到均匀的高长径比Ag纳米线。本发明制备高长径比银纳米线的方法成本经济,简单,易操作。

    一种不同长径比银纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN104690293B

    公开(公告)日:2017-05-03

    申请号:CN201510118483.X

    申请日:2015-03-18

    Abstract: 本发明提供了一种不同长径比银纳米线的制备方法。将氯化亚铂(PtCl2)溶解于乙二醇中,搅拌均匀后升温,温度升到一定温度后,保温一段时间,再将硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分别溶解于两份乙二醇中,然后先将硝酸银溶液逐滴加入氯化亚铂(PtCl2)溶液中,再将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶液逐量加入混合溶液中,将温度升温到一定温度后,保温一段时间;反应结束后,自然冷却得到产物银纳米线,然后经不同的转速的离心洗涤,获得不同长径比银纳米线。本发明制备不同长径比银纳米线的方法简单,将不同长径的银纳米线有效分离,提高银纳米线的产量和不同银纳米线的均匀度。

    一种水基银纳米线墨水的配制方法

    公开(公告)号:CN105153814A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510646430.5

    申请日:2015-10-09

    Abstract: 本发明公布了一种水基银纳米线墨水的配制,其组成为:银纳米线,0.2-1.5%;羧甲基纤维素钠,0.2-1%;Zonyl@FSO-100,0.005-0.1%;高分子分散剂,0.1-2%;小分子流平剂,1-3%;小分子消泡剂,1-2%;水,85.4-94.495%。该墨水涂覆后简单处理即可得到高导电性和透光率的导电薄膜,因而可广泛用于触摸屏等电子产品领域。

    一种水基银纳米线墨水的配制方法

    公开(公告)号:CN105153814B

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201510646430.5

    申请日:2015-10-09

    Abstract: 本发明公布了一种水基银纳米线墨水的配制,其组成为:银纳米线,0.2‑1.5%;羧甲基纤维素钠,0.2‑1%;Zonyl@FSO‑100,0.005‑0.1%;高分子分散剂,0.1‑2%;小分子流平剂,1‑3%;小分子消泡剂,1‑2%;水,85.4‑94.495%。该墨水涂覆后简单处理即可得到高导电性和透光率的导电薄膜,因而可广泛用于触摸屏等电子产品领域。

    一种均匀的高长径比银纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN105081351B

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201510645800.3

    申请日:2015-10-09

    CPC classification number: B22F9/24

    Abstract: 本发明提供了一种均匀的高长径比银纳米线的制备方法。将硝酸银在一定温度下溶解于丙三醇中,配置成溶液A;将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)在一定温度下溶解于丙三醇中,配置成溶液B;将溶液A和溶液B混合均匀成溶液C;再添加一定量的介质在溶液C中,混合均匀成溶液D,最后将溶液D转移至反应釜中放在已设定温度的烘箱中,反应一定时间后结束反应。将反应物离心分离2次得到沉淀物银纳米线。该方法加入介质,可以提高离子在反应溶液中的运动速度,得到长径比高的银纳米线,制备方法简单易操作,且实验稳定,可适于工业生产。

    一种易后处理的水基银纳米线墨水及其薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN105304164A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510646270.4

    申请日:2015-10-09

    Abstract: 本发明公布了一种易后处理的水基银纳米线墨水以及其薄膜制备,其墨水组成为:银纳米线,0.2-1.5%;氟碳表面活性剂,0.005-0.05%;小分子分散剂,0.1-2%;小分子流平剂,1-3%;小分子消泡剂,1-2%;水,91.45-97.695%。其薄膜制备过程为:在衬底上涂覆一层粘结剂溶液,干燥后得到粘结层;然后将(1)配制的墨水涂覆在粘结层上,烘干得银导电网络;最后涂覆一层保护层,干燥得最终的导电薄膜。该墨水涂覆后仅需简单的热处理即可得到高性能的银纳米线薄膜。该薄膜的性能优越,能广泛用于触摸屏等电子产品领域。

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