公开(公告)号：CN108976914A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810923356.0

申请日：2018-08-14

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 陈善勇 ,  尹忠民

IPC: C09D11/52 ,  C09D11/03 ,  H01B5/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 一种高分散的铜纳米线导电墨水是由铜纳米线、电荷调节剂、表面活性剂和去离子水为原材料制得。本发明制膜后处理温度低，50~100℃均可处理；铜纳米线薄膜加热除去分散剂时不需要氮气、氢气等保护气体，制备装置简单，生产过程更加安全，生产成本更低，本发明铜纳米线分散溶剂为水，制备过程不会聚集，分散均匀使得透明导电薄膜具有很高的均匀度，整张薄膜方阻分布不均匀程度小于5%，本发明所制得的铜纳米线导电薄膜导电性好，方阻在10~100Ω/sq之间，透过率在85~95%，同时对环境极为友好，适合市场推广应用。

公开(公告)号：CN108976914B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201810923356.0

申请日：2018-08-14

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 陈善勇 ,  尹忠民

IPC: C09D11/52 ,  C09D11/03 ,  H01B5/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 一种高分散的铜纳米线导电墨水是由铜纳米线、电荷调节剂、表面活性剂和去离子水为原材料制得。本发明制膜后处理温度低，50~100℃均可处理；铜纳米线薄膜加热除去分散剂时不需要氮气、氢气等保护气体，制备装置简单，生产过程更加安全，生产成本更低，本发明铜纳米线分散溶剂为水，制备过程不会聚集，分散均匀使得透明导电薄膜具有很高的均匀度，整张薄膜方阻分布不均匀程度小于5%，本发明所制得的铜纳米线导电薄膜导电性好，方阻在10~100Ω/sq之间，透过率在85~95%，同时对环境极为友好，适合市场推广应用。