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公开(公告)号：CN103464146A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310452381.2
申请日：2013-09-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状，硅纳米阵列为规则孔状或线状，Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构，本发明提供一种多电位阶跃法沉积金属，加快了光生载流子的转移速率，减少缺陷的形成，提高了光电转化效率，增强了太阳能的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103464146B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310452381.2
申请日：2013-09-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状，硅纳米阵列为规则孔状或线状，Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构，本发明提供一种多电位阶跃法沉积金属，加快了光生载流子的转移速率，减少缺陷的形成，提高了光电转化效率，增强了太阳能的利用率。
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公开(公告)号：CN101698917B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910191457.4
申请日：2009-11-11
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种高强度高塑性镁合金，用于金属材料类领域。所述镁合金包含的各成分及其重量百分比为：1.3-2.5％Mn，2-6％Gd，0.1-0.6％Zr，余量为Mg及不可避免的杂质。本发明以Mn、Zr为基本成分，添加Gd，生成(MgGd)相和(MnGd)相细化晶粒，影响Zr在合金中的分布，其平均抗拉强度216MPa，屈服强度153MPa，延伸率35％，与M2系列合金相比，抗拉强度、屈服强度、延伸率都有大幅度提高。
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公开(公告)号：CN102051511B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110021760.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 重庆大学
IPC: C22C23/04
Abstract: 本发明公开一种含铈的镁-锌-铜镁合金，用于金属材料类领域。所述镁合金包含的各成分及其重量百分比为：Zn6.0～10.0%，Cu3.0～10.0%，Ce0.15～1.80%，不可避免的杂质≤0.15%，余量为Mg。本发明在Mg-Zn-Cu合金基础上添加Ce，细化晶粒组织，影响Zn、Cu在合金中的分布及第二相类型、形貌和含量。本发明所述镁合金具有较高的室温性能，其室温抗拉强度不低于320MPa，屈服强度不低于260MPa，延伸率为9-11%。
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公开(公告)号：CN102051511A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201110021760.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 重庆大学
IPC: C22C23/04
Abstract: 本发明公开一种含铈的镁-锌-铜镁合金，用于金属材料类领域。所述镁合金包含的各成分及其重量百分比为：Zn6.0～10.0%，Cu3.0～10.0%，Ce0.15～1.80%，不可避免的杂质≤0.15%，余量为Mg。本发明在Mg-Zn-Cu合金基础上添加Ce，细化晶粒组织，影响Zn、Cu在合金中的分布及第二相类型、形貌和含量。本发明所述镁合金具有较高的室温性能，其室温抗拉强度不低于320MPa，屈服强度不低于260MPa，延伸率为9-11%。
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公开(公告)号：CN101698917A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910191457.4
申请日：2009-11-11
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种高强度高塑性镁合金，用于金属材料类领域。所述镁合金包含的各成分及其重量百分比为：1.3-2.5％Mn，2-6％Gd，0.1-0.6％Zr，余量为Mg及不可避免的杂质。本发明以Mn、Zr为基本成分，添加Gd，生成(MgGd)相和(MnGd)相细化晶粒，影响Zr在合金中的分布，其平均抗拉强度216MPa，屈服强度153MPa，延伸率35％，与M2系列合金相比，抗拉强度、屈服强度、延伸率都有大幅度提高。
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