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公开(公告)号:CN103464146A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201310452381.2
申请日:2013-09-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状,硅纳米阵列为规则孔状或线状,Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构,本发明提供一种多电位阶跃法沉积金属,加快了光生载流子的转移速率,减少缺陷的形成,提高了光电转化效率,增强了太阳能的利用率。
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公开(公告)号:CN101298048B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200810069834.2
申请日:2008-06-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管上过渡金属锚定铂催化剂的方法,属于燃料电池技术领域。本发明将市售碳纳米管先用浓硝酸纯化,再用过氧化氢和浓硫酸的混酸处理得到功能化的碳纳米管。然后将功能化的碳纳米管与部分铂盐和全部过渡金属M盐在多元醇溶剂中搅拌回流一定时间后,加入剩余的铂盐继续回流,冷却,离心洗涤,烘干,最后在氢气气氛中热处理,得到碳纳米管上过渡金属锚定铂催化剂。采用本发明制备的碳纳米管上过渡金属锚定铂催化剂具有很好的稳定性和氧还原催化活性,可以替代同类商品化催化剂。
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公开(公告)号:CN103464146B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201310452381.2
申请日:2013-09-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状,硅纳米阵列为规则孔状或线状,Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构,本发明提供一种多电位阶跃法沉积金属,加快了光生载流子的转移速率,减少缺陷的形成,提高了光电转化效率,增强了太阳能的利用率。
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公开(公告)号:CN100588018C
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200810070245.6
申请日:2008-09-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供了一种间接电沉积制备碳载超低铂催化电极的方法,属于燃料电池技术领域。本发明是在水溶液中通过四步电沉积法将过渡金属M(如:Cu、Co、Ni等)纳米粒子高分散的沉积在全氟磺酸树脂粘接的多孔碳电极(PCE)上,然后将所得到的M/PCE电极浸入到铂盐溶液中通过置换反应制得碳载超低铂催化电极。本发明具有工艺简单,成本低廉的优点。采用本发明所制备的碳载超低铂催化电极具有铂载量低、电催化性能高、铂纳米粒子分散性好且尺寸可控等优点,可以替代现有的商业用铂碳(Pt/C)催化剂。
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公开(公告)号:CN101359744A
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200810070245.6
申请日:2008-09-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供了一种间接电沉积制备碳载超低铂催化电极的方法,属于燃料电池技术领域。本发明是在水溶液中通过四步电沉积法将过渡金属M(如:Cu、Co、Ni等)纳米粒子高分散的沉积在全氟磺酸树脂粘接的多孔碳电极(PCE)上,然后将所得到的M/PCE电极浸入到铂盐溶液中通过置换反应制得碳载超低铂催化电极。本发明具有工艺简单,成本低廉的优点。采用本发明所制备的碳载超低铂催化电极具有铂载量低、电催化性能高、铂纳米粒子分散性好且尺寸可控等优点,可以替代现有的商业用铂碳(Pt/C)催化剂。
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公开(公告)号:CN101298048A
公开(公告)日:2008-11-05
申请号:CN200810069834.2
申请日:2008-06-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管上过渡金属锚定铂催化剂的方法,属于燃料电池技术领域。本发明将市售碳纳米管先用浓硝酸纯化,再用过氧化氢和浓硫酸的混酸处理得到功能化的碳纳米管。然后将功能化的碳纳米管与部分铂盐和全部过渡金属M盐在多元醇溶剂中搅拌回流一定时间后,加入剩余的铂盐继续回流,冷却,离心洗涤,烘干,最后在氢气气氛中热处理,得到碳纳米管上过渡金属锚定铂催化剂。采用本发明制备的碳纳米管上过渡金属锚定铂催化剂具有很好的稳定性和氧还原催化活性,可以替代同类商品化催化剂。
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