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公开(公告)号：CN117153723B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311113227.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , B05D3/06
Abstract: 本发明公开了一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置按照基板的传输方向依次设有干区间、刻蚀区间、缓冲区间、水洗区间和风干区间；所述刻蚀区间内设有第一磁铁装置，所述缓冲区间内还设有第二磁铁装置，所述湿法刻蚀装置还包括涡流管，所述缓冲区间内还设有热风口和第一排气口，所述缓冲风刀的外形设置成弧形，缓冲风刀的斜上方设有热气管，热气管的喷嘴正对缓冲风刀，所述涡流管的热气支管分别与热风口和热气管连通；所述湿法刻蚀装置还包括冷却装置，所述涡流管的冷气支管与冷却装置连通。本发明能够有效地避免Mo/Al、Mo/Al/Mo刻蚀制程中的顶Mo缩进问题，避免显示污渍等品质问题，确保产品品质和良率。
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公开(公告)号：CN115105858B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210710320.0
申请日：2022-06-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种ITO刻蚀液结晶抑制装置；所述ITO刻蚀液结晶抑制装置包括离子吸附循环系统和结晶物去除循环系统；所述离子吸附循环系统包括离子吸附管道、第一加热装置和离子吸附装置；所述结晶物去除循环系统包括结晶物去除管道、冷却装置、离心过滤机和第二加热装置。本发明能够有效的使ITO刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除ITO刻蚀液中的结晶物。
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公开(公告)号：CN115094424A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210711514.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 重庆大学
IPC: C23F1/46
Abstract: 本发明公开了一种Cu刻蚀液结晶抑制装置；所述Cu刻蚀液结晶抑制装置包括离子去除循环管道、冷却装置、离心过滤机和离子吸附装置，所述离子去除循环管道与刻蚀液槽连接并且用于将刻蚀液从刻蚀液槽引出处理后送回刻蚀液槽，所述冷却装置用于冷却刻蚀液，所述离心过滤机用于离心分离刻蚀液中的结晶物，所述离子吸附装置用于吸附刻蚀液中的金属离子，所述冷却装置、离心过滤机和离子吸附装置沿刻蚀液流向依次设置在离子去除循环管道上。本发明能够有效的使Cu刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除Cu刻蚀液中的结晶物。
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公开(公告)号：CN114688832A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210324887.4
申请日：2022-03-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀的水洗干燥装置；所述水洗干燥装置包括水洗腔和风干腔；所述水洗腔用于容纳并冲洗基板，所述风干腔用于容纳并风干基板，所述水洗腔与风干腔连通；所述水洗腔的入口处设有向基板表面吹气的气帘风刀，所述气帘风刀与气帘供气管连通；所述风干腔内设有向基板表面吹气的干燥风刀，所述干燥风刀与干燥供气管连通；所述水洗干燥装置还包括涡流管，所述涡流管的冷气管与气帘供气管连通，所述涡流管的热气管与干燥供气管连通。本发明既能避免水渍残留造成的缺陷，又规避高气流量下紊流造成的尘埃型缺陷，还同时提升刻蚀均一性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114613704A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210338727.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋装置、刻蚀液管理系统；所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋装置用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，所述刻蚀液槽与刻蚀腔底部连通，所述刻蚀液管理系统用于向刻蚀液中补充原料；所述刻蚀腔上设有主排气管，所述主排气管上设有排气泵；所述刻蚀液槽内设有微波发生器，所述微波发生器用于加热刻蚀液，所述刻蚀液槽上设有附加排气管，所述附加排气管与主排气管连通。本发明能够使酸液浓度回升或者保持稳定，保持刻蚀液刻蚀速率稳定，避免刻蚀残留。
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公开(公告)号：CN114695207B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210326399.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种带有等离子体清洗的湿法刻蚀装置，所述湿法刻蚀装置包括等离子体清洗腔和刻蚀腔；所述湿法刻蚀装置还包括涡流管、冷却风刀Ⅰ、冷却风刀Ⅱ、加热风刀Ⅰ和加热风刀Ⅱ；所述涡流管的冷气管分别与冷却风刀Ⅰ和冷却风刀Ⅱ连通，所述涡流管的热气管分别与加热风刀Ⅰ和加热风刀Ⅱ连通。本发明通过引入涡流管形成特殊的气路装置，该装置可以将气体分离成冷气体和热气体，冷气体对基板和等离子体清洗腔进行降温，避免高压等离子体对Al、Cu、ITO等膜层的损伤，又可以充分去除有机物避免刻蚀残留，还能抑制挥发出的刻蚀蒸汽对膜层的腐蚀，防止线宽偏小的问题。同时，该装置分离出的热气体可以确保刻蚀腔室温度分布均匀，提升刻蚀均一性。
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公开(公告)号：CN117153723A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311113227.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , B05D3/06
Abstract: 本发明公开了一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置按照基板的传输方向依次设有干区间、刻蚀区间、缓冲区间、水洗区间和风干区间；所述刻蚀区间内设有第一磁铁装置，所述缓冲区间内还设有第二磁铁装置，所述湿法刻蚀装置还包括涡流管，所述缓冲区间内还设有热风口和第一排气口，所述缓冲风刀的外形设置成弧形，缓冲风刀的斜上方设有热气管，热气管的喷嘴正对缓冲风刀，所述涡流管的热气支管分别与热风口和热气管连通；所述湿法刻蚀装置还包括冷却装置，所述涡流管的冷气支管与冷却装置连通。本发明能够有效地避免Mo/Al、Mo/Al/Mo刻蚀制程中的顶Mo缩进问题，避免显示污渍等品质问题，确保产品品质和良率。
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公开(公告)号：CN117130235A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311113226.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 重庆大学
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种避免寄生栅极效应和斜纹Mura的光刻胶剥离装置；所述光刻胶剥离装置按照基板的传输方向依次设有干区间、剥离区间、热水洗区间、过冷水洗区间和风干区间；所述剥离区间的出口处设有用于向基板表面吹热风的热风刀，所述热水洗区间内设有用于向基板表面喷淋热水的第二喷淋管；所述过冷水洗区间的入口处设有用于向基板表面吹冷风的冷风刀，所述过冷水洗区间内设有用于向基板表面喷淋过冷水的第三喷淋管；所述光刻胶剥离装置还包括涡流管、加热装置和冷却装置。本发明规避了寄生栅极效应、斜纹Mura造成的产品良率和品质风险；并保证了光刻胶剥离设备的通用性，有益于产线物流优化和产能提升。
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公开(公告)号：CN115105858A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210710320.0
申请日：2022-06-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种ITO刻蚀液结晶抑制装置；所述ITO刻蚀液结晶抑制装置包括离子吸附循环系统和结晶物去除循环系统；所述离子吸附循环系统包括离子吸附管道、第一加热装置和离子吸附装置；所述结晶物去除循环系统包括结晶物去除管道、冷却装置、离心过滤机和第二加热装置。本发明能够有效的使ITO刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除ITO刻蚀液中的结晶物。
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