抗氧化TiVCTx的制备方法、吸附剂及其吸附亚甲基蓝的应用

    公开(公告)号:CN119838571A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510209101.8

    申请日:2025-02-25

    Abstract: 本发明公开了一种抗氧化TiVCTX的制备方法、吸附剂及其吸附亚甲基蓝的应用,该制备方法包括以下步骤:制备TiVCTX溶液;向TiVCTX溶液中加入抗氧化剂,混合反应后抗氧化剂分子中的羧基能够与TiVCTX中的Ti和/或V形成螯合作用,使抗氧化剂分子与TiVCTX紧密结合,以在TiVCTX表面形成一层保护层,从而得到抗氧化TiVCTX溶液;抗氧化剂采用的是草酸、柠檬酸钠或酒石酸。由上述制备方法制得的吸附剂应用于吸附亚甲基蓝。本发明显著提高了TiVCTX的抗氧化性,抗氧化剂分子不仅能够与TiVCTX纳米片边缘原子形成螯合作用,同时能够与亚甲基蓝发生布洛赫反应,显著提升吸附剂对亚甲基蓝的吸附性能。

    一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置

    公开(公告)号:CN117153723B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202311113227.2

    申请日:2023-08-31

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置;所述湿法刻蚀装置按照基板的传输方向依次设有干区间、刻蚀区间、缓冲区间、水洗区间和风干区间;所述刻蚀区间内设有第一磁铁装置,所述缓冲区间内还设有第二磁铁装置,所述湿法刻蚀装置还包括涡流管,所述缓冲区间内还设有热风口和第一排气口,所述缓冲风刀的外形设置成弧形,缓冲风刀的斜上方设有热气管,热气管的喷嘴正对缓冲风刀,所述涡流管的热气支管分别与热风口和热气管连通;所述湿法刻蚀装置还包括冷却装置,所述涡流管的冷气支管与冷却装置连通。本发明能够有效地避免Mo/Al、Mo/Al/Mo刻蚀制程中的顶Mo缩进问题,避免显示污渍等品质问题,确保产品品质和良率。

    Alk-Ti3C2/PDMS柔性压阻传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN112254851B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202011106382.8

    申请日:2020-10-16

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种高性能的Alk‑Ti3C2/PDMS柔性压阻传感器的制备方法,包括以下步骤,首先制备柔性基底结构化的PDMS柔性薄膜,然后合成导电材料二维MXene片(Ti3C2Tx)和3D褶皱状的Alk‑Ti3C2,再制备Alk‑Ti3C2/PDMS导电薄膜,最后通过胶水将Alk Ti3C2/PDMS导电薄膜与柔性叉指电极组装在一起得到柔性压阻传感器。本发明通过以砂布为模板,有效的得到了结构化的PDMS薄膜,扩宽了传感器的压力范围;本发明利用NaOH对二维材料Ti3C2Tx进行结构优化,有效地阻止了材料的堆叠现象,得到了独特的褶皱状结构,提高了传感器的灵敏度;本发明提供的制备方法简单可行,易于操作,拓宽了Ti3AlC2陶瓷材料纳米材料的应用领域。

    镁合金在酸性溶液中Ni-Co-P镀层的化学镀方法

    公开(公告)号:CN101619449A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200910104521.0

    申请日:2009-08-03

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 一种镁合金酸性溶液中Ni-Co-P镀层的化学镀方法,包括:镁合金前处理后浸锌,然后化学镀Ni-Co-P,其特征是:化学镀Ni-Co-P时,镀液的配方为:主盐为硫酸镍10~20g/L和硫酸钴4~12g/L,还原剂为次亚磷酸钠8~20g/L,缓冲剂为乙酸钠13g/L,缓蚀剂为HF(40%)8ml/L和NH 4 HF 2 8g/L,稳定剂为硫脲0~1mg/L,操作温度77~87℃,pH值为5~7,化学镀时间为1.5~3hours。本发明的化学镀方法镀层厚度均匀、外观光亮、孔隙率低,耐蚀性能好。采用本发明方法镀Ni-Co-P镀层后的镁合金铸件可用于电子产品、汽车及其零配件、船舶和航空航天等领域。

    一种用于PAN型刻蚀液的湿法刻蚀装置

    公开(公告)号:CN118248593A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410333978.3

    申请日:2024-03-22

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于PAN型刻蚀液的湿法刻蚀装置,所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋系统,所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板,所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液,所述喷淋系统用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内,所述刻蚀液槽与刻蚀腔底部连通;所述湿法刻蚀装置还包括降黏循环系统和控酸循环系统。本发明能够确保刻蚀负载效应被抑制,刻蚀均一性提升,刻蚀液H3PO4浓度稳定。

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