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公开(公告)号：CN119504254A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411625782.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01C7/115
Abstract: 本发明属于介电和压敏材料技术领域，公开了一种介电和压敏双功能陶瓷及其制备方法，用以解决无法同时具备优异的介电常数、介电损耗、击穿场强及非线性系数的技术问题。该陶瓷材料由(Y0.5+xBi0.5‑x)2/3Cu3Ti4O12表示，‑0.1≤x≤0.1。以氧化钇、氧化铋、醋酸铜、氧化钛为起始原料，按化学式比例混合，加入乙二胺，室温搅拌后保温一定时间，得到陶瓷粉体，分离、清洗、烘干后压片烧结得到陶瓷材料。本发明制备的陶瓷材料在10 kHz下的介电常数可达14250，介电损耗低至0.017，击穿场强高达17.8 kV/cm，非线性系数为7.9。该陶瓷材料在大容量电容器、高能量密度存储和压敏电阻器等领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN117623772A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311641365.8
申请日：2023-12-01
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/622 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明涉及磁电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种基于空位与化学无序调控的钨酸锰铪陶瓷材料及其制备方法和应用；所述材料其化学式为：Mn1‑xHfxWO4，其中，铪掺杂量的范围为：0＜x≤0.20；在钨酸锰铪陶瓷材料Mn1‑xHfxWO4中，所述Hf4+进行Mn2+替代引入空位缺陷与化学无序，以调控钨酸锰铪陶瓷的磁电性能；本发明制备得到的Mn1‑xHfxWO4磁电陶瓷材料具有单相结构，介电性能优良，磁转变温度显著提高，铁电极化温区范围扩大，以及磁介电特征明显，具有非常优异的特性。
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公开(公告)号：CN113045307A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110368986.8
申请日：2021-04-06
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷，涉及电子材料技术领域。所述钛酸钡基陶瓷包括钛酸钡及所述钛酸钡中共掺杂的氧化铜和氧化铋；所述钛酸钡、氧化铜、氧化铋质量占比为(1‑x)：0.5x：0.5x，其中，x取值范围为0＜x≤0.7％；所述钛酸钡基陶瓷的相对密度为94.68～96.69％。本发明采用Bi2O3、CuO共掺杂，Bi2O3和CuO作为烧结助剂能有效降低BaTiO3基陶瓷的烧结温度，节约了能耗，并获得结晶度良好，晶粒尺寸均匀的陶瓷样品。
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公开(公告)号：CN113045307B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110368986.8
申请日：2021-04-06
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷，涉及电子材料技术领域。所述钛酸钡基陶瓷包括钛酸钡及所述钛酸钡中共掺杂的氧化铜和氧化铋；所述钛酸钡、氧化铜、氧化铋质量占比为(1‑x)：0.5x：0.5x，其中，x取值范围为0＜x≤0.7％；所述钛酸钡基陶瓷的相对密度为94.68～96.69％。本发明采用Bi2O3、CuO共掺杂，Bi2O3和CuO作为烧结助剂能有效降低BaTiO3基陶瓷的烧结温度，节约了能耗，并获得结晶度良好，晶粒尺寸均匀的陶瓷样品。
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公开(公告)号：CN111482605A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010406825.9
申请日：2020-05-14
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无铁磁性立方织构复合基带及其制备方法，该复合基带为层状结构，从上至下依次为紫铜层/Ni层/304不锈钢层/Ni层/紫铜层，且上下紫铜层厚度相等，上下Ni层厚度相等，合理设计层间厚度比和各层的初始状态，采用放电等离子体烧结获得复合坯锭，然后通过热轧，冷轧，中间退火及最终的再结晶退火获得高强度的复合基带，该复合基带在液氮温区无铁磁性，并具有强立方织构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111205091A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010237537.5
申请日：2020-03-30
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种锆掺杂锰酸钆多铁陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该陶瓷材料的化学式为GdMn1-xZrxO3，其中，掺杂量x的范围为：0＜x≤0.10。GdMn1-xZrxO3粉体采用溶胶凝胶法制备。该陶瓷材料具备单相结构、室温巨介电性能和低温磁性，并且通过改变Zr4+的掺杂量可以调节材料的介电性能和磁性。本发明制备工艺简单，烧结成相温度低，烧结时间短，成本低，环保无害，在高介电电容器、信息存储、敏感磁电传感器、能量转换器和滤波器等领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111582290B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010402697.0
申请日：2020-05-13
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种计算机图像识别方法：将待识别的图像中各个像素点的颜色值提取出来，生成颜色矩阵，并根据颜色矩阵建立各个像素点的坐标；分别对比每一个像素点的颜色值与其周围相邻像素点的颜色值，当该像素点的颜色值与其周围相邻至少一个像素点的颜色值之间的差值不在设定的色差范围的时候，提取该像素点的在所述颜色矩阵中的坐标，重复该过程直至所有的像素点遍历完毕；根据上述提取出的所有坐标得到一个或者多个函数；根据上述得到的函数在图像库中查找，查找得到物品的名称并进行输出。本发明通过将要识别的图像的像素点进行提取，从像素点中分离出物品的轮廓，再根据物品的轮廓对物品进行识别，最后输出得到图像中的物品。
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公开(公告)号：CN113185267B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110590077.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种钴掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法，化学式为La0.5Sr0.5Mn1‑xCoxO3，钴掺杂量x的范围为：0
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公开(公告)号：CN115231917A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210962495.0
申请日：2022-08-11
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/624 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种利用溶胶凝胶法制备高介电常数、低介电损耗的钛酸铜钙薄膜的方法，该薄膜材料由Ca1‑xCdxCu3Ti4O12表示，其中x的取值为0.3‑0.7。以醋酸钙、醋酸镉、醋酸铜及钛酸四丁酯为起始原料，丙酸和醋酸为络合剂，乙醇或甲醇为溶剂，制备溶胶，提拉法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备钛酸铜钙凝胶膜薄膜，通过改进热处理工艺，获得了光滑、致密的掺镉的钛酸铜钙薄膜。本发明制备的钛酸铜钙薄膜工艺简单、成本低、重复性好，薄膜的介电性能优良，应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN111363951B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010406518.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种立方织构Ni‑W‑Al合金基带的制备方法。首先采用热压烧结的方式制备Ni‑W合金，再以Ni‑W合金和Al板为原材料，采用真空感应熔炼制备Ni‑W‑Al合金铸锭，W和Al的原子百分含量分别为5%和8%~11%，然后进行热轧，终轧温度控制在920℃以上，热轧最后一道次后立刻淬火处理，随后进行冷轧开坯及高温退火，退火过程中控制退火气氛，最后再通过精轧及低温退火处理获得高强度、强立方织构的金属基带。本发明在Ni‑W合金中添加适量的Al元素，在高温阶段形成强立方织构，在最后低温阶段析出第二相粒子，获得较高的力学性能。采用特殊的气氛可以有效增加最终第二相粒子的析出，进一步提高力学性能。
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