公开(公告)号：CN117623772A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311641365.8

申请日：2023-12-01

申请人： 郑州轻工业大学

发明人： 代海洋 ,  李涛 ,  闫福丰 ,  郭景会 ,  谢罗刚 ,  沈钦龙 ,  陈靖 ,  陈镇平

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

摘要： 本发明涉及磁电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种基于空位与化学无序调控的钨酸锰铪陶瓷材料及其制备方法和应用；所述材料其化学式为：Mn1‑xHfxWO4，其中，铪掺杂量的范围为：0＜x≤0.20；在钨酸锰铪陶瓷材料Mn1‑xHfxWO4中，所述Hf4+进行Mn2+替代引入空位缺陷与化学无序，以调控钨酸锰铪陶瓷的磁电性能；本发明制备得到的Mn1‑xHfxWO4磁电陶瓷材料具有单相结构，介电性能优良，磁转变温度显著提高，铁电极化温区范围扩大，以及磁介电特征明显，具有非常优异的特性。