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公开(公告)号：CN118833861A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411050897.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明涉及一种铜插层氧化钼材料及其制备方法。该铜插层氧化钼材料的制备方法包括以下步骤：将氧化钼本体利用超声和超临界CO2技术制备六方氧化钼纳米片分散液；将铜盐与六方氧化钼纳米片分散液混合得到溶液一，在所述溶液一中加入过氧化氢得到溶液二，将所述溶液二转移至超临界装置中反应，即得。本发明利用超临界二氧化碳技术构筑的六方氧化钼纳米片，在较低温度下利用过氧化氢和超临界二氧化碳辅助实现铜离子掺杂，在MoO3中引入氧空位和金属离子，得到具有等离子共振性能的氧空位型氧化钼半导体。
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公开(公告)号：CN113800567B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111209380.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光量子效率MoS2量子点的制备方法，基于铝离子插层辅助的溶剂热制备方法来剥离MoS2粉末，制备的MoS2量子点尺寸均一，发光量子效率能达到7.5%，极大地提高了MoS2量子点的光致发光量子效率。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分结合铝离子插层剂和溶剂热对MoS2粉末的剥离效应，有效提高了MoS2量子点的剥离效率和发光量子产率。
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公开(公告)号：CN113800567A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111209380.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光量子效率MoS2量子点的制备方法，基于铝离子插层辅助的溶剂热制备方法来剥离MoS2粉末，制备的MoS2量子点尺寸均一，发光量子效率能达到7.5%，极大地提高了MoS2量子点的光致发光量子效率。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分结合铝离子插层剂和溶剂热对MoS2粉末的剥离效应，有效提高了MoS2量子点的剥离效率和发光量子产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113185267A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110590077.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种钴掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法，化学式为La0.5Sr0.5Mn1‑xCoxO3，钴掺杂量x的范围为：0
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公开(公告)号：CN112768259B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011607918.4
申请日：2020-12-30
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene衍生物/金属纳米复合材料的制备方法及其应用，将MXene Ti3C2、H2O2分散在KOH溶液中，经磁力搅拌后转移至高压釜中140℃水热反应12 h。经去离子水洗涤真空干燥后获得MXene衍生物（AMX）。将AMX粉末，金属盐M和聚乙烯吡咯烷酮k‑30混合分散于乙二醇中，经磁力搅拌后转移至高压釜中于160℃水热持续3h。产物用去离子水清洗真空干燥后得到MXene衍生物/金属纳米复合材料。本发明通过水热法一步合成了MXene衍生物/金属复合材料用于超级电容器的电极材料，具有良好的电化学储能特性，且制备方法具有工艺简单、成本低廉、环境友好、可重复性强、可大量制备等优点。
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公开(公告)号：CN112768259A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011607918.4
申请日：2020-12-30
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene衍生物/金属纳米复合材料的制备方法及其应用，将MXene Ti3C2、H2O2分散在KOH溶液中，经磁力搅拌后转移至高压釜中140℃水热反应12 h。经去离子水洗涤真空干燥后获得MXene衍生物（AMX）。将AMX粉末，金属盐M和聚乙烯吡咯烷酮k‑30混合分散于乙二醇中，经磁力搅拌后转移至高压釜中于160℃水热持续3h。产物用去离子水清洗真空干燥后得到MXene衍生物/金属纳米复合材料。本发明通过水热法一步合成了MXene衍生物/金属复合材料用于超级电容器的电极材料，具有良好的电化学储能特性，且制备方法具有工艺简单、成本低廉、环境友好、可重复性强、可大量制备等优点。
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公开(公告)号：CN113185267B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110590077.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种钴掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法，化学式为La0.5Sr0.5Mn1‑xCoxO3，钴掺杂量x的范围为：0
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公开(公告)号：CN112239355A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011111967.9
申请日：2020-10-16
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种钬掺杂铁酸铜多铁陶瓷及其制备方法，该钬掺杂铁酸铜多铁陶瓷由通式Cu1‑xHoxFeO2表示，式中，0＜x≤0.08，其以三水硝酸铜、九水硝酸铁、五水硝酸钬、一水柠檬酸以及乙二醇为原料，采用溶胶‑凝胶自蔓延燃烧法制备而得。该陶瓷材料具备单相结构、室温巨介电性能和低温磁性，并且通过改变Ho3+掺杂量可以调节材料的巨介电特性和磁性；其制备工艺简单，无需预烧、烧结成相温度低、烧结时间短、成本低，环保无害，在高介电电容器、信息存储、自旋电子器件、磁电传感器等领域有着广泛的应用前景。
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