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公开(公告)号：CN118085867A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410104793.5
申请日：2024-01-25
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高亮度无闪烁的等离激元‑激子杂化纳米超结构的制备方法，在本发明中把等离激元和激子构筑在同一个纳米复合结构中，以金(Au)纳米颗粒提供局域场，选择与之等离激元吸收峰共振的荧光量子点(QD)ZnCdSeS/ZnS提供激子，通过表面可功能化和厚度可调的二氧化硅SiO2做为间隔层，利用化学合成的方法制备单颗粒分散的Au@SiO2‑QD纳米超结构。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，在该纳米超结构中，创新性地把等离激元和激子复合在一个结构中，极大地抑制了量子点发光闪烁特征，提高了单颗粒量子点的发射亮度。有望应用于要求高发光阈值的激光和量子点电致发光二极管(LED)中。
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公开(公告)号：CN119799073A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411424643.9
申请日：2024-10-12
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种MoS2/RGO复合油墨的制备方法，将钼源、硫源和石墨烯按照一定比例混合，经过水热反应，基于原位还原法制得复合纳米片，并将复合纳米片均匀分散在异丙醇和水的混合溶液中，通过添加聚乙烯比咯烷酮等分散剂，随后进行超声分散，减少复合纳米材料的堆积和团聚，通过添加丙二醇减缓墨水在后期干燥过程中的挥发速率，进而获得高浓度稳定存在的MoS2/RGO复合油墨。在具有高比表面积的石墨烯表面原位合成MoS2纳米片，一方面可以减少复合材料在制备油墨的过程中发生堆积和团聚，另一方面还可以极大地提高复合材料的比表面积，能够为其作为电极材料提供更多的活性位点，提高器件的比容量等电化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119780063A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510019956.4
申请日：2025-01-07
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种金纳米豆荚/MXene二元纳米复合结构的制备方法和应用，把金纳米豆荚结构和过渡金属碳氮化物Ti3C2Tx MXene进行复合形成二元纳米复合结构用来作为SERS基底，实现对探针分子的灵敏检测。本发明制备的二元纳米复合结构中，金纳米豆荚结构可控，能够提供多热点局域等离激元场。单层MXene具有良好的金属导电性、较高的载流子迁移率及可见光透过率，本发明成本低、工艺流程简洁明了，巧妙地通过电磁增强和化学增强两种机制的协同作用，使探针分子罗丹明B拉曼信号的增强达到107量级。SERS检测极限能达到10‑10M，具有较高的灵敏性，有望应用于基于高性能SERS的生物传感和检测中。
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公开(公告)号：CN113800567B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111209380.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光量子效率MoS2量子点的制备方法，基于铝离子插层辅助的溶剂热制备方法来剥离MoS2粉末，制备的MoS2量子点尺寸均一，发光量子效率能达到7.5%，极大地提高了MoS2量子点的光致发光量子效率。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分结合铝离子插层剂和溶剂热对MoS2粉末的剥离效应，有效提高了MoS2量子点的剥离效率和发光量子产率。
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公开(公告)号：CN113698203B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110990105.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , H02M9/04 , H03K3/57
Abstract: 本发明所公开了一种铌酸银基反铁电陶瓷材料，所述铌酸银基反铁电陶瓷材料的化学式为Ag1‑3xYxNb1‑xHfxO3，0≤x≤0.10，优选为0.03≤x≤0.05，具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。该工艺减少了铌酸银陶瓷材料高温烧结时间，能耗下降23%，提高了材料的致密度并减小晶粒尺寸，储能密度和储能效率分别提高了22.2%和13.5%。本发明在降低生产能耗的同时，所得材料的储能密度在2.2～5.3J/cm3，储能效率为42～80％。作为脉冲功率的电源，有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113800567A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111209380.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光量子效率MoS2量子点的制备方法，基于铝离子插层辅助的溶剂热制备方法来剥离MoS2粉末，制备的MoS2量子点尺寸均一，发光量子效率能达到7.5%，极大地提高了MoS2量子点的光致发光量子效率。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分结合铝离子插层剂和溶剂热对MoS2粉末的剥离效应，有效提高了MoS2量子点的剥离效率和发光量子产率。
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公开(公告)号：CN113698203A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110990105.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , H02M9/04 , H03K3/57
Abstract: 本发明所公开了一种铌酸银基反铁电陶瓷材料，所述铌酸银基反铁电陶瓷材料的化学式为Ag1‑3xYxNb1‑xHfxO3，0≤x≤0.10，优选为0.03≤x≤0.05，具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。该工艺减少了铌酸银陶瓷材料高温烧结时间，能耗下降23%，提高了材料的致密度并减小晶粒尺寸，储能密度和储能效率分别提高了22.2%和13.5%。本发明在降低生产能耗的同时，所得材料的储能密度在2.2～5.3J/cm3，储能效率为42～80％。作为脉冲功率的电源，有非常重要的应用价值。
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