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公开(公告)号：CN108074990A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711114424.0
申请日：2017-11-13
发明人： 沈于甄 , 佩里纳·雅弗雷努 , 吉勒·奥拉夫·唐吉·西尔万·普兰 , 迈克尔·C·约翰逊 , 林承笵
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , H01L31/186
摘要： 本文描述了使用太阳能电池光接收表面的UV固化制造太阳能电池的方法，以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括在硅基板的光接收表面上形成钝化介电层。该方法还包括在所述钝化介电层下形成抗反射涂层(ARC)。该方法还包括将所述抗反射涂层暴露于紫外(UV)辐射。该方法还包括在将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射之后，对所述抗反射涂层进行热退火。
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公开(公告)号：CN106663700A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580021016.3
申请日：2015-06-25
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要： 本发明提供了用高能隙(Eg)材料钝化太阳能电池的光接收表面的方法以及所得的太阳能电池。在一个例子中，太阳能电池包括具有光接收表面的基板。在所述基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上方设置有III族氮化物材料层。在另一个例子中，太阳能电池包括具有光接收表面的基板。在所述基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上方设置有大的直接带隙材料层，所述大的直接带隙材料层具有至少约3.3的能隙(Eg)。在所述大的直接带隙材料层上设置有抗反射涂覆(ARC)层，所述ARC层包含不同于所述大的直接带隙材料层的材料。
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公开(公告)号：CN110808293A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910999294.6
申请日：2015-03-24
发明人： 林承笵 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 迈克尔·C·约翰逊 , 热罗姆·达蒙-拉科斯特 , 安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
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公开(公告)号：CN106133916B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201580003357.8
申请日：2015-03-24
发明人： 林承笵 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 迈克尔·C·约翰逊 , 热罗姆·达蒙-拉科斯特 , 安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
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公开(公告)号：CN106471625A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580035076.0
申请日：2015-06-25
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , Y02E10/547
摘要： 本发明描述了利用晶体硅将太阳能电池的光接收表面钝化的方法以及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上方设置有本征硅层。在所述本征硅层上设置有N型硅层。所述本征硅层和所述N型硅层中的一者或两者是微晶或多晶硅层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上设置有N型微晶或多晶硅层。
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公开(公告)号：CN106133916A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580003357.8
申请日：2015-03-24
发明人： 林承笵 , 吉娜维芙·A·所罗门 , 迈克尔·C·约翰逊 , 热罗姆·达蒙-拉科斯特 , 安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0745
摘要： 本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
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公开(公告)号：CN118645553A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410682364.6
申请日：2017-11-13
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/677
摘要： 本申请公开了一种利用太阳能电池的光接收表面的UV固化来制造太阳能电池的固化工具以及得到的太阳能电池。在示例中，固化工具将UV曝光级和一个或多个沉积或退火级相结合以制造太阳能电池。例如，辐射固化级可以在用于在背接触太阳能电池上执行操作的后端处理级之前。因此可以使用固化工具来执行提高太阳能电池的UV稳定性的方法。
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公开(公告)号：CN116779721A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310749673.6
申请日：2017-11-13
发明人： 沈于甄 , 佩里纳·雅弗雷努 , 吉勒·奥拉夫·唐吉·西尔万·普兰 , 迈克尔·C·约翰逊 , 林承笵
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本文描述了使用太阳能电池光接收表面的UV固化制造太阳能电池的方法，以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括在硅基板的光接收表面上形成钝化介电层。该方法还包括在所述钝化介电层下形成抗反射涂层(ARC)。该方法还包括将所述抗反射涂层暴露于紫外(UV)辐射。该方法还包括在将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射之后，对所述抗反射涂层进行热退火。
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公开(公告)号：CN113571590A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110740253.2
申请日：2015-06-25
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/0368 , H01L31/18
摘要： 本发明描述了利用晶体硅将太阳能电池的光接收表面钝化的方法以及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上方设置有本征硅层。在所述本征硅层上设置有N型硅层。所述本征硅层和所述N型硅层中的一者或两者是微晶或多晶硅层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上设置有N型微晶或多晶硅层。
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公开(公告)号：CN108075012A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711114645.8
申请日：2017-11-13
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/1868 , H01L31/1804
摘要： 本申请公开了一种利用太阳能电池的光接收表面的UV固化来制造太阳能电池的固化工具以及得到的太阳能电池。在示例中，固化工具将UV曝光级和一个或多个沉积或退火级相结合以制造太阳能电池。例如，辐射固化级可以在用于在背接触太阳能电池上执行操作的后端处理级之前。因此可以使用固化工具来执行提高太阳能电池的UV稳定性的方法。
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