发明公开
- 专利标题： 利用晶体硅对太阳能电池光接收表面进行钝化
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申请号： CN202110740253.2申请日： 2015-06-25
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公开(公告)号： CN113571590A公开(公告)日： 2021-10-29
- 发明人: 迈克尔·C·约翰逊 , 基兰·马克·特雷西 , 普林斯·卡尔米·托马达 , 戴维·D·史密斯 , 林承笵 , 佩里纳·雅弗雷努
- 申请人： 道达尔销售服务公司 , 太阳能公司
- 申请人地址： 法国皮托;
- 专利权人： 道达尔销售服务公司,太阳能公司
- 当前专利权人： 道达尔销售服务公司,太阳能公司
- 当前专利权人地址： 法国皮托;
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 张娜; 李荣胜
- 优先权： 14/317,672 20140627 US
- 主分类号： H01L31/0216
- IPC分类号： H01L31/0216 ; H01L31/068 ; H01L31/0747 ; H01L31/0368 ; H01L31/18
摘要：
本发明描述了利用晶体硅将太阳能电池的光接收表面钝化的方法以及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上方设置有本征硅层。在所述本征硅层上设置有N型硅层。所述本征硅层和所述N型硅层中的一者或两者是微晶或多晶硅层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上设置有N型微晶或多晶硅层。
IPC分类:
