公开(公告)号：CN104838502B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380065184.3

申请日：2013-11-18

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.亚瑟 ,  K.S.马托查 ,  R.劳 ,  P.A.罗西 ,  A.V.博罗尼科夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H03K17/687

Abstract: 绝缘栅场效应晶体管(IGFET)装置包括半导体主体和栅极氧化物。半导体主体包括采用第一类型的掺杂剂所掺杂的第一阱区以及采用带相反电荷的第二类型的掺杂剂所掺杂并且位于第一阱区中的第二阱区。栅极氧化物包括具有不同厚度尺寸的外段和内段。外段设置在半导体主体的第一阱区和第二阱区之上。内段设置在半导体主体的结型栅场效应晶体管区之上。半导体主体配置成形成成当栅极信号施加到设置于栅极氧化物上的栅极触点时经过第二阱区和结型栅场效应晶体管区来形成传导沟道。

公开(公告)号：CN104838502A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380065184.3

申请日：2013-11-18

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.D.亚瑟 ,  K.S.马托查 ,  R.劳 ,  P.A.罗西 ,  A.V.博罗尼科夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H03K17/687

Abstract: 绝缘栅场效应晶体管(IGFET)装置包括半导体主体和栅极氧化物。半导体主体包括采用第一类型的掺杂剂所掺杂的第一阱区以及采用带相反电荷的第二类型的掺杂剂所掺杂并且位于第一阱区中的第二阱区。栅极氧化物包括具有不同厚度尺寸的外段和内段。外段设置在半导体主体的第一阱区和第二阱区之上。内段设置在半导体主体的结型栅场效应晶体管区之上。半导体主体配置成形成成当栅极信号施加到设置于栅极氧化物上的栅极触点时经过第二阱区和结型栅场效应晶体管区来形成传导沟道。