公开(公告)号：CN1480569A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03147893.X

申请日：2003-06-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·P·德埃维林 ,  S·D·阿图尔 ,  L·B·罗兰德 ,  S·S·瓦加拉利 ,  J·W·卢塞克 ,  T·R·安托尼 ,  L·M·莱文森

IPC: C30B33/02

CPC classification number: B01J3/065 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/0635 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/067 ,  B01J2203/0675 ,  B01J2203/069 ,  C30B33/00 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法，从提供含缺陷晶体和压力介质开始，将晶体和压力介质放置在高压小容器中，再置于高压设备中，在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。

公开(公告)号：CN1920124A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610108599.6

申请日：2003-06-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·P·德埃维林 ,  S·D·阿图尔 ,  L·B·罗兰德 ,  S·S·瓦加拉利 ,  J·W·卢塞克 ,  T·R·安托尼 ,  L·M·莱文森

IPC: C30B33/00

CPC classification number: B01J3/065 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/0635 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/067 ,  B01J2203/0675 ,  B01J2203/069 ,  C30B33/00 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法，从提供含缺陷晶体和压力介质开始，将晶体和压力介质放置在高压小容器中，再置于高压设备中，在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。

公开(公告)号：CN1507078A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310124601.5

申请日：2003-12-10

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·M·桑德维克 ,  D·M·布朗 ,  S·D·阿图尔 ,  K·S·马托查 ,  J·W·克雷奇曼

IPC: H01L31/107 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/02322 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/107 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例，一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括：具有第一掺杂剂的衬底110；位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层111；位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层112；位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层114；用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116，122)；位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层124；以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118，120)，其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。

公开(公告)号：CN100505331C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200310124601.5

申请日：2003-12-10

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·M·桑德维克 ,  D·M·布朗 ,  S·D·阿图尔 ,  K·S·马托查 ,  J·W·克雷奇曼

IPC: H01L31/107 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/02322 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/107 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例，一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括：具有第一掺杂剂的衬底(110)；位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层(111)；位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层(112)；位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层(114)；用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116，122)；位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层(124)；以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118，120)，其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。