公开(公告)号：CN1507078A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310124601.5

申请日：2003-12-10

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·M·桑德维克 ,  D·M·布朗 ,  S·D·阿图尔 ,  K·S·马托查 ,  J·W·克雷奇曼

IPC: H01L31/107 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/02322 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/107 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例，一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括：具有第一掺杂剂的衬底110；位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层111；位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层112；位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层114；用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116，122)；位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层124；以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118，120)，其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。

公开(公告)号：CN101989615A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010251981.9

申请日：2010-08-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·罗西 ,  S·D·阿瑟 ,  D·M·布朗 ,  K·S·马托查 ,  R·R·劳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1608

Abstract: 提供包括碳化硅(SiC)的半导体结构(100)和器件以及用于制作其的方法。该结构(100)和器件包括基底或屏蔽层(116)、沟道(118)和表面层(120)，它们都可取地通过离子注入形成。因此，本发明提供的结构和器件是硬“常截止”器件，即，呈现大于大约3伏特的阈值电压。

公开(公告)号：CN100505331C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200310124601.5

申请日：2003-12-10

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·M·桑德维克 ,  D·M·布朗 ,  S·D·阿图尔 ,  K·S·马托查 ,  J·W·克雷奇曼

IPC: H01L31/107 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/02322 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/107 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例，一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括：具有第一掺杂剂的衬底(110)；位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层(111)；位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层(112)；位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层(114)；用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116，122)；位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层(124)；以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118，120)，其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。