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公开(公告)号：CN113851428A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110712581.1
申请日：2021-06-25
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 大卫·理查德·埃斯勒 , 艾玛德·A·安达拉维斯
Abstract: 一种器件(100)，包括：高温半导体器件(102)，高温半导体器件(102)包括第一表面(104)，其中，高温半导体器件(102)包括有源区域(106)和与有源区域(106)相邻设置的端接区域(108)；无机介电绝缘层(130)，无机介电绝缘层(130)设置在第一表面上，其中，无机介电绝缘层(130)填充在整个端接区域(108)上延伸的体积，并且包括大于或等于25μm且小于或等于500μm的厚度(144)；以及电连接器(116)，电连接器(116)将高温半导体器件(102)的有源区域(106)连接到器件(100)的附加部件。
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公开(公告)号：CN114068469A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110881685.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 陈·正·博 , 雷扎·甘迪 , 大卫·理查德·埃斯勒 , 大卫·马尔福德·沙道克 , 艾玛德·安达拉维斯·安达拉维斯 , 尹亮
IPC: H01L23/495 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L23/20 , H01L21/48
Abstract: 一种电气部件和用于制造电气部件的方法，电气部件具有衬底、导体堆叠，导体堆叠具有多个层并且包括至少一个导电路径。导体堆叠安装到衬底，其中介电钝化堆叠包封导体叠层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN113287192A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201980088826.9
申请日：2019-12-11
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 史蒂芬·戴利·亚瑟 , 于梁纯 , 南希·塞西莉亚·斯托费尔 , 大卫·理查德·埃斯勒 , 克里斯托弗·詹姆斯·卡普斯塔
Abstract: 提供了一种半导体器件(16)。该半导体器件(16)包括形成在端接区域上的电场(E场)抑制层(36)。E场抑制层(36)图案化为在金属接触区域(66)上形成有开口。E场抑制层(36)的厚度使得当半导体器件(16)在最大电压或低于最大电压下操作时，E场抑制层(36)上方的电场强度低于相邻材料的介电强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113287192B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201980088826.9
申请日：2019-12-11
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 史蒂芬·戴利·亚瑟 , 于梁纯 , 南希·塞西莉亚·斯托费尔 , 大卫·理查德·埃斯勒 , 克里斯托弗·詹姆斯·卡普斯塔
Abstract: 提供了一种半导体器件(16)。该半导体器件(16)包括形成在端接区域上的电场(E场)抑制层(36)。E场抑制层(36)图案化为在金属接触区域(66)上形成有开口。E场抑制层(36)的厚度使得当半导体器件(16)在最大电压或低于最大电压下操作时，E场抑制层(36)上方的电场强度低于相邻材料的介电强度。
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公开(公告)号：CN116804581A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310276593.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 罗伯特·詹姆斯·麦克唐纳 , 林易真 , 尼古拉斯·G·约斯特 , 大卫·理查德·埃斯勒
Abstract: 一种具有改进的温度和压力特性的感测元件，包括：至少一个声学感测装置，至少一个声学感测装置主要由硅基底形成并且具有微机电系统，而不使用石英或聚合物，其中至少一个声学感测装置检测与经受扭矩的金属物体相关联的扭矩；和高温结合表面，高温结合表面用于经由包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种的高温连接工艺将感测元件直接连接到金属物体，而无需聚合物粘合剂。本文还公开了使用这种感测元件和方法的相关传感器。
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公开(公告)号：CN113851428B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110712581.1
申请日：2021-06-25
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 大卫·理查德·埃斯勒 , 艾玛德·A·安达拉维斯
Abstract: 一种器件(100)，包括：高温半导体器件(102)，高温半导体器件(102)包括第一表面(104)，其中，高温半导体器件(102)包括有源区域(106)和与有源区域(106)相邻设置的端接区域(108)；无机介电绝缘层(130)，无机介电绝缘层(130)设置在第一表面上，其中，无机介电绝缘层(130)填充在整个端接区域(108)上延伸的体积，并且包括大于或等于25μm且小于或等于500μm的厚度(144)；以及电连接器(116)，电连接器(116)将高温半导体器件(102)的有源区域(106)连接到器件(100)的附加部件。
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公开(公告)号：CN118825918A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410172682.8
申请日：2024-02-07
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 大卫·理查德·埃斯勒 , 萨蒂什·普拉巴卡兰 , 谢人 , 奥摩尔·金多穆什 , 杨励强 , 康斯坦丁诺斯·米纳斯
IPC: H02H3/08 , H02H1/00 , H03K17/687 , H03K17/041 , H03K17/081 , B64D47/00 , G01R19/00
Abstract: 一种固态断路器，可以包括功率模块、栅极驱动器、电流传感器和控制器。每个功率模块可以包括两个具有体二极管的背靠背MOSFET。MOSFET可以在功率模块内具有相对的取向和公共源极连接。电流传感器可以检测电流，并且控制器可以确定电流是否超过预定阈值。当电流超过预定阈值时，控制器可以向每个栅极驱动器传输信号，以使每个栅极驱动器向背靠背MOSFET输出信号，使得在两个方向上阻断通过固态断路器的电流。
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公开(公告)号：CN113196459A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082747.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 史蒂芬·戴利·亚瑟 , 于梁纯 , 南希·塞西莉亚·斯托费尔 , 大卫·理查德·埃斯勒 , 克里斯托弗·詹姆斯·卡普斯塔
Abstract: 提供了制造半导体器件的方法。该方法包括提供多个半导体器件。该方法还包括在多个半导体器件上设置介电干膜，其中将介电干膜图案化，使得图案化的介电干膜中的开口与多个半导体器件中的每一个的导电焊盘对准。
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