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公开(公告)号：CN104871285B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201380066339.5
申请日：2013-12-18
申请人： 通快许廷格两合公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32944 , H01J37/32064 , H01J37/3299
摘要： 一种用于在等离子体系统(1)的等离子体腔室(6)中的灭弧的灭弧方法，包括以下方法步骤：a.在等离子体操作期间产生功率，以便在所述等离子体腔室中生成等离子体和以便使用所生成的等离子体来进行等离子体处理过程，其中，数字‑模拟转换器(DAC)(41)生成要提供到放大器路径(31、32)并在那里放大的模拟信号；b.借助于电弧检测针对电弧的产生来监测等离子体系统；c.如果在步骤b中检测到电弧：通过电弧检测装置以使DAC的模拟输出信号被改变的方式来控制DAC。
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公开(公告)号：CN104871285A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066339.5
申请日：2013-12-18
申请人： 通快许廷格两合公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32944 , H01J37/32064 , H01J37/3299
摘要： 一种用于在等离子体系统(1)的等离子体腔室(6)中的灭弧的灭弧方法，包括以下方法步骤：a.在等离子体操作期间产生功率，以便在所述等离子体腔室中生成等离子体和以便使用所生成的等离子体来进行等离子体处理过程，其中，数字-模拟转换器(DAC)(41)生成要提供到放大器路径(31、32)并在那里放大的模拟信号；b.借助于电弧检测针对电弧的产生来监测等离子体系统；c.如果在步骤b中检测到电弧：通过电弧检测装置以使DAC的模拟输出信号被改变的方式来控制DAC。
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公开(公告)号：CN107735947A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680038821.1
申请日：2016-06-30
申请人： 通快许廷格两合公司
CPC分类号： H03F1/301 , H01F27/2804 , H01F2027/2809 , H01F2027/2819 , H01J37/32174 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/3001 , H03F2200/451 , H05K1/0243 , H05K1/165 , H05K1/18 , H05K2201/10166
摘要： 本发明涉及一种高频放大器装置(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发，所述高频放大器装置包括：a.两个晶体管(S1，S2)，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述晶体管(S1，S2)构造成相同类型的并且布置在多层的电路板(2)上，b.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述晶体管(S1，S2)的漏极连接端或集电极连接端连接，c.所述功率变换器(7)的初级绕组(6)和次级绕组(4)分别实施为布置在所述多层的电路板(2)的不同的上层(61，62)中的平面印制导线。
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公开(公告)号：CN104871430A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066355.4
申请日：2013-12-18
申请人： 通快许廷格两合公司
IPC分类号： H03F3/217 , H01J37/32 , H02M7/5387
CPC分类号： H02M1/08 , H01J37/24 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H02M7/53873 , H02M2001/0003 , H03F3/2175 , H03M1/66 , H05H2001/4682
摘要： 一种具有功率转换器(3，30)的功率供送系统(2，20)，所述功率转换器产生高频信号，且能够连接到负载(6)以给等离子体或气体激光器处理供送功率，其中，所述功率转换器具有至少第一放大器路径(31)，通过DAC(41)由数字信号产生的音频信号被供送到至少一个放大器路径(31-36)，其特征在于，用于产生供送到DAC的数字信号的逻辑电路单元(42)设置在DAC的上游，所述逻辑电路单元具有：信号数据存储器(61)，用于产生模拟信号形式的信号数据值存储在所述信号数据存储器中，幅度数据存储器(62)，用于影响模拟信号的幅度的幅度数据值存储在所述幅度数据存储器中，倍增器(63)，其用于使信号数据值乘以幅度数据值。在一种用于产生能够供送到负载的高频功率的方法中，模拟信号由DAC产生且在放大器路径(31-36)中放大，模拟信号的幅度被调制。
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公开(公告)号：CN107820647B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680038611.2
申请日：2016-06-30
申请人： 通快许廷格两合公司
摘要： 本发明涉及一种经平衡的LC合成器形式的功率合成器(12)，所述功率合成器(12)的输入端(14a，b)分别通过至少一个RC匹配环节(28)彼此绝缘。所述至少一个RC匹配环节(28)优选如此确定参数，使得所述输入端(14a，b)之间的连接在所述功率合成器(12)工作的情况下在至少一个位置处处于稳定电位上。进一步优选地，所述功率合成器(12)以平面的结构形式构造并且具有彼此平行延伸的能够导电的层。在能够导电的层中优选构造有至少一个电感(24a，b)以及合成器电容器(26)。此外，本发明还涉及一种具有之前所述的功率合成器(12)以及连接到至少两个所述输入端(14a，b)的高频信号源(16a，b)的功率合成器装置(10)，所述功率合成器装置优选以频率捷变的晶体管放大器的形式构造。
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公开(公告)号：CN107735901B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680038790.X
申请日：2016-06-30
申请人： 通快许廷格两合公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明涉及一种具有冷却体(40)的功率合成器(10)。所述功率合成器(10)具有至少一个第一电导体(14)以及第二电导体(16)。所述第一电导体(14)和所述第二电导体(16)在总体上尽量等距地与所述冷却体(40)间隔开。为此，所述第一电导体(14)以及所述第二电导体(16)交替地靠近或远离所述冷却体(40)布置。替代地或附加地，所述冷却体(40)可以布置在所述第一电导体(14)与所述第二电导体(16)之间。替代地或附加地，所述第一电导体(14)和所述第二电导体(16)尽量分成平行的导体段(14a、14b、16a、16b)，其中，所述导体段(14a、14b、16a、16b)与所述冷却体(40)如此间隔开，使得所述第一电导体(14)以及所述第二电导体(16)在总体上尽量与所述冷却体(40)等距地间隔开。
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公开(公告)号：CN107735945A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680038650.2
申请日：2016-06-30
申请人： 通快许廷格两合公司
CPC分类号： H03F1/523 , H01J37/32174 , H01L23/66 , H01L27/0629 , H01L29/7816 , H01L2223/6616 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/2176 , H03F3/3001 , H03F2200/451
摘要： 一种非线性高频放大器设备(1)，其适用于在≥1MHz的频率下产生≥1kW的输出功率用于等离子体激励，所述非线性高频放大器设备包括：a.两个LDMOS晶体管(S1，S2)，所述两个LDMOS晶体管以其源极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述LDMOS晶体管(S1，S2)相同地构造并且布置在一个组件(封装)(3)中；b.功率变换器(7)，其初级绕组(6)与所述LDMOS晶体管(S1，S2)的漏极连接端连接；c.信号变换器(11)，其次级绕组(13)以第一端与一个LDMOS晶体管(S1)的栅极连接端(15)连接而以第二端与另一LDMOS晶体管(S2)的栅极连接端(17)连接，d.每个LDMOS晶体管(S1，S2)的从所述漏极连接端到所述栅极连接端(15，17)的分别一个反馈路径(34，35)。
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公开(公告)号：CN107735946B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680038662.5
申请日：2016-06-30
申请人： 通快许廷格两合公司
摘要： 一种高频放大器设备(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率用于等离子体激发，所述高频放大器设备包括：a.两个LDMOS晶体管(S1，S2)，所述两个LDMOS晶体管以其源极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述LDMOS晶体管(S1，S2)相同地构造并且布置在一个组件(3)(封装)中，b.印刷电路板(2)，所述印刷电路板平面地贴靠金属的冷却板(25)并且通过多个接地连接(8，19，21，24)与可与接地连接(26)的所述冷却板(25)连接，其中，所述组件(3)布置在所述印刷电路板上或布置在所述印刷电路板处，c.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述LDMOS晶体管(S1，S2)的漏极连接端连接，d.信号变换器(10)，所述信号变换器的次级绕组(13)以第一端通过一个或多个阻性元件(14)与一个LDMOS晶体管(S1)的栅极连接端(15)连接并且以第二端通过一个或多个阻性元件(16)与另一个LDMOS晶体管(S2)的栅极连接端(17)连接，其中，每个栅极连接端(15，17)通过至少一个进行电压限制的构件装置(18，20，18′，20′)与接地(19，21)连接。
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公开(公告)号：CN107735947B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201680038821.1
申请日：2016-06-30
申请人： 通快许廷格两合公司
摘要： 本发明涉及一种高频放大器装置(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发，所述高频放大器装置包括：a.两个晶体管(S1，S2)，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述晶体管(S1，S2)构造成相同类型的并且布置在多层的电路板(2)上，b.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述晶体管(S1，S2)的漏极连接端或集电极连接端连接，c.所述功率变换器(7)的初级绕组(6)和次级绕组(4)分别实施为布置在所述多层的电路板(2)的不同的上层(61，62)中的平面印制导线。
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