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公开(公告)号：CN114436667A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111557682.2
申请日：2021-12-20
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/64 , C04B35/626 , C04B35/645
摘要： 本发明公开了一种增加氮化硅韧性的制备方法，涉及一种氮化硅制备方法，由于氮化硅脆性一直是限制氮化硅陶瓷应用的最大问题，所以本申请包括以下步骤：S1、制备原材料，在α‑Si3N4和β‑Si3N4中添加SiC晶须和Si3N4短纤维；S2、原材料倒入密闭搅拌器内搅拌，在搅拌器中加入SiC晶须、Si3N4短纤维和PVA，对所述密闭搅拌器加热保温直至密闭搅拌器内的温度维持80‑100℃，对所述密闭搅拌器通气1‑2h；S3、调节助烧剂用量成分；S4、对步骤S2中所得成品造粒；S5、对S4中的颗粒成品高温烧结，加入步骤S3中调制的助烧剂，本申请通过对氮化硅制作方式的改进，能够使得制备的样品由普通氮化硅陶瓷断裂韧性5.2MPa·m1/2，提高至断裂韧性为7.82MPa·m1/2，从而有效地提高氮化硅的韧性。
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公开(公告)号：CN118046106A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410393526.4
申请日：2024-04-02
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/70 , B23K103/00
摘要： 本发明公开了一种高频率零焊点的陶瓷基板激光切割方法，步骤如下：S1：通过整形模块对激光器发出的激光进行光束整形；S2：调节冷却模块围绕切割位置设置，同时开启冷却模块，通过控制冷却气体的流量和温度，来实现熔化的陶瓷基板快速冷却并凝固；S3：在进行对陶瓷基板倾斜切割时，通过切割角度调节模块调节安装盒倾斜角度；S6：对切割完成的陶瓷基板进行清洗、烘干和收集处理。本发明对激光切割位置的两侧以及切割方向的后侧围成冷却管道，对激光打在陶瓷基板位置的边缘进行冷却气体的快速冷却，冷却速度可以通过控制冷却气体的流量和温度来完成，能够保证切割位置的平滑，切割角度调节模块能调节激光束的角度，提高切割倾斜角度控制能力。
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公开(公告)号：CN118756014A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410843809.4
申请日：2024-06-27
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了1、一种航空级高强铝合金材料及制备方法，以质量百分比计的原料如下：纯Mg 2.0‑2.6％、纯Zn＜2.0％、纯Cu 1‑1.5％、辅助金属＜1.0％、微合金化元素＜1.0％以及余量为纯铝，方法如下：S1：称取原料如下；S2：用溶液涂刷坩埚、送料钳和扒渣勺表面；S3：分步骤加入原料进行熔化；S4：向步骤S3中加入铝箔包裹的精炼剂，并待出杂质后扒渣；S5：将步骤S4中的铝合金溶液浇注到模具中得到铝合金坯料。本发明通过优化合金成分和热处理工艺，显著提高了其抗拉强度、屈服强度和延伸率等关键指标。
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公开(公告)号：CN115773696A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211467424.X
申请日：2022-11-22
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了防大口径炮弹的复合防弹板的制备方法，属于防弹板制备技术领域，包括S1、加工碳化硼陶瓷块，S2、铺设TC4金属粉，S3、铺设碳化硼陶瓷块，S4、填充TC4金属粉，S5、制备防弹板，压力真空炉包括炉体和滑轨，炉体的底端固定连接有移动板，移动板的底端安装有脚轮，滑轨呈对称设置，滑轨的底端固定连接有导向座，滑轨的内部滑动连接有滑块，滑轨的底端开设有移动通槽，滑块的底端固定连接有连接杆，连接杆贯穿移动通槽的一端固定连接有第二直齿板。本发明通过使得碳化硼陶瓷块和金属复合到一起，使碳化硼陶瓷块既具有金属的韧性还有陶瓷的硬度，从而保证防弹板能够抵挡超高速的大口径子弹的射击。
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公开(公告)号：CN115246741A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202211054445.9
申请日：2022-08-30
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司 , 江苏新伊菲科技有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种传热速度快高绝缘的氮化硅陶瓷电极及制备方法，涉及电极生产领域。该传热速度快高绝缘的氮化硅陶瓷电极及制备方法，包括陶瓷绝缘套，所述陶瓷绝缘套内部嵌入固定设置有组合电极，具体包括以下步骤，S1.原材料制备，选择Si3N4粉和AlN粉料作为该电极的原材料，将Si3N4粉、AlN粉料和氧化物烧结助剂充分搅拌混合，制备成陶瓷粉，S2.粉料球磨，在陶瓷粉中加入适量球磨介质，然后放到球磨机中进行球磨，S3.浆料处理，S4.造粒，S5.压坯，S6.烧结，S7.电极安装。通过将陶瓷绝缘套采用氮化硅陶瓷材料经过气氛烧结而成，具有高强度、高绝缘性、高导热的特点，热量传输速度快，适用于液体加热用途，提升该电极的实用性。
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公开(公告)号：CN114986661A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210360499.1
申请日：2022-04-07
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司 , 江苏新伊菲科技有限公司
IPC分类号： B28B3/00 , B28B11/24 , B28B17/00 , B28B17/02 , B02C4/26 , B02C13/18 , B02C21/00 , B02C23/10 , B07B1/28 , C04B35/584 , C04B35/626 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种氮化硅声纳热成像绝缘条的制备方法及装置，涉及一种陶瓷技术领域，包括：球磨机，用于对物料进行球磨碾碎；烘干机，设置在所述球磨机输出端，用于对球磨后的物料进行烘干；破碎机，设置在所述烘干机输出端，用于对烘干物料进行破碎；分选机，设置在所述破碎机的输出端，用对破碎后的物料按照一定的尺寸进行分选；压机，设置在所述分选机的输出端，用于对得到的物料进行压制成型。本申请提出的是陶瓷领域的一种氮化硅声纳热成像绝缘条的制备方法，该方法在利用氮化硅绝缘条代替普通金属零件，声纳热成像传感器需要高强度和高绝缘性零件，所以氮化硅绝缘条很好的解决了这个问题。
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公开(公告)号：CN114199078A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111557588.7
申请日：2021-12-19
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
IPC分类号： F41H5/04
摘要： 本发明公开了一种碳化硼复合陶瓷工艺的制备方法和装置，涉及一种陶瓷加工领域，由于开展碳化硼复合陶瓷工艺的研制和应用，可大大提高相关武器装备的使用性能，具有显著的军事效益和经济效益，所以本申请包括以下步骤：S1、制作支撑板，将支撑板固定在固定处；S2、将正六边形的碳化硼陶瓷板拼接呈陶瓷片；S3、将陶瓷片固定在支撑板上；S4、采用黏合剂将支撑板和陶瓷片固定，本申请通过采用正六边形的碳化硼陶瓷板拼接呈陶瓷片，相比大尺寸单块陶瓷，中弹后破损面积较大，消弱了复合陶瓷的整体刚度；本申请同支撑板的采用，能够支撑陶瓷片，避免陶瓷片在受到冲击后，过早破裂和飞溅，能够发挥陶瓷的抗弹性能且同时耗散剩余弹丸和陶瓷锥的动能。
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公开(公告)号：CN114195534A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111557564.1
申请日：2021-12-19
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种防止在高纯度高温下铝液污染的材料发明的制备方法和装置，涉及一种陶瓷领域，由于高纯铝液活性高，具有极强渗透性，市场上常见的储备材料，或多或少总会有高纯铝液的渗透，所以本申请包括以下步骤：S1、将氧化铝粉、氧化锆、钛白粉和烧结助剂混合搅拌成陶瓷粉料；S2、将步骤S1中得到的陶瓷粉料加入水中，形成陶瓷料浆；S3、将硼化钛和氮化硼球加入到球磨机球磨，制成硼化钛和氮化硼粉料；S4、将步骤S2中得到的陶瓷料浆中加入步骤S3中得到的硼化钛和氮化硼粉料进行混合后烘干，在烘干后加入胶结剂进行混合，本申请通过将氧化铝粉、氧化锆和钛白粉混合，用于提高抗铝水浸透能力；并加入烧结助剂，起到抗渗透的作用，损坏特点。
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公开(公告)号：CN114180966A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111557686.0
申请日：2021-12-20
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/563 , C04B35/622 , B28B3/04 , B28B17/00
摘要： 本发明公开了一种提升应力释放效果的大尺寸碳化硼陶瓷制备方法和设备，本发明通过添加到B4C陶瓷粉料中能够有效改善B4C陶瓷的致密性、强度、断裂韧性等性能指标，从而增加了陶瓷内部应力释放的效果，并降低整体材料的成型工艺难度，B4C陶瓷原料粉料粒度分布均匀，粉体颗粒度粒径适中，制备样品致密性好，产品硬度可达31‑32GPa，弯曲强度500‑520MPa，断裂韧性5.8‑6.0MPa·m1/2。陶瓷内部应力释放效果得到明显改善，由于在B4C陶瓷中加有TiB2成分，所以提高了B4C陶瓷的致密度、硬度、弯曲强度、断裂韧性，因此增加了陶瓷内部应力释放的效果，经过试验，产品的防护性能显著提高。
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公开(公告)号：CN114105668A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111557579.8
申请日：2021-12-19
申请人： 辽宁伊菲科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种防止氮化硅集成电路板钎焊分层的原料制备方法和设备，涉及电路板钎焊技术领域，主要解决现有的钎焊原材料对氮化硅陶瓷基板的电路板进行钎焊后容易因为受热发生钎焊虚焊分层的问题；本发明主要是通过对钎焊原料的改良添加了活性元素Zr，它能够与被连接的陶瓷发生反应，实现对陶瓷的润湿，添加了B4C的陶瓷颗粒可降低钎料的热膨胀系数，与陶瓷基板的热膨胀系数更加匹配，润湿作用更好。对氮化硅陶瓷基板进行物理纹路添加，提高了接触面积，更好的提高胶结表面的结合力，保证钎焊后的电路板在受热状态下大大降低发生钎焊分层的概率。
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