公开(公告)号：CN108231863A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710048777.9

申请日：2017-01-20

申请人： 财团法人交大思源基金会

发明人： 张翼 ,  刘世谦 ,  黄崇愷 ,  吴佳勳 ,  韩秉承 ,  林岳钦 ,  谢廷恩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/792

摘要： 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含：基材、通道层、阻障层、凹槽、电荷陷阱层、铁电材料、栅极、源极和漏极。通道层配置于基材上；阻障层配置于通道层上，阻障层具有凹槽，且凹槽下方的阻障层具有一厚度；漏极和源极配置于阻障层上；电荷陷阱层覆盖凹槽的底面；铁电材料配置于电荷陷阱层上；以及栅极配置于铁电材料上。本发明提供的半导体装置具有高临界电压，而且能同时维持高输出电流。

公开(公告)号：CN108231863B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201710048777.9

申请日：2017-01-20

申请人： 财团法人交大思源基金会

发明人： 张翼 ,  刘世谦 ,  黄崇愷 ,  吴佳勳 ,  韩秉承 ,  林岳钦 ,  谢廷恩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含：基材、通道层、阻障层、凹槽、电荷陷阱层、铁电材料、栅极、源极和漏极。通道层配置于基材上；阻障层配置于通道层上，阻障层具有凹槽，且凹槽下方的阻障层具有一厚度；漏极和源极配置于阻障层上；电荷陷阱层覆盖凹槽的底面；铁电材料配置于电荷陷阱层上；以及栅极配置于铁电材料上。本发明提供的半导体装置具有高临界电压，而且能同时维持高输出电流。