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公开(公告)号：CN104641256A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048384.8
申请日：2013-07-09
申请人： 西门子公司
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： G01T1/244 , G01N23/04 , G01N23/046 , G01T1/026 , G01T1/24
摘要： 本发明涉及一种用于利用X射线检测器(100)检测X射线辐射(R)的方法，所述X射线检测器具有直接转换的半导体检测器元件(150a,150b)，其中借助辐射源(210a,210b)将附加辐射(K)传送到半导体检测器元件(150a,150b),并且附加辐射(K)的传送基于预先给出的额定值(Ta,Tb,Tc)被控制或调节。特别地，额定值可以时间上可变地作为目标值的序列被预先给出。此外描述了一种X射线检测器系统(200)，利用所述X射线检测器系统可以执行该方法。
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公开(公告)号：CN104641255A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048285.X
申请日：2013-07-09
申请人： 西门子公司
发明人： S.卡普勒 , B.克莱斯勒 , M.拉巴延德因扎 , D.尼德洛纳 , M.莱因万德 , C.施勒特 , J.图恩 , S.沃思 , F.迪雷 , K.斯蒂尔斯托弗 , E.戈德尔 , P.哈肯施密德 , M.斯特拉斯伯格
CPC分类号： G21K1/02 , G01N23/046 , G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/2985
摘要： 本发明涉及一种用于探测X射线辐射、尤其用于在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(1)、至少一个准直器(2)和以附加辐射辐照半导体材料(1)的至少一个辐射源(6)，其中该至少一个准直器(2)在朝向半导体材料(1)的侧上具有至少一个反射层(3)，借助该反射层将附加辐射反射到半导体材料(1)上。此外，本发明涉及一种具有直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)的CT系统，以及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)探测入射的X射线辐射的、尤其用于在CT系统(C1)中使用的方法，其中借助至少一个反射层(3)以附加辐射间接辐照用于探测的半导体材料(1)，以生成附加的载流子。
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公开(公告)号：CN104641255B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380048285.X
申请日：2013-07-09
申请人： 西门子公司
发明人： S.卡普勒 , B.克莱斯勒 , M.拉巴延德因扎 , D.尼德洛纳 , M.莱因万德 , C.施勒特 , J.图恩 , S.沃思 , F.迪雷 , K.斯蒂尔斯托弗 , E.戈德尔 , P.哈肯施密德 , M.斯特拉斯伯格
CPC分类号： G21K1/02 , G01N23/046 , G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/2985
摘要： 本发明涉及一种用于探测X射线辐射、尤其用于在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(1)、至少一个准直器(2)和以附加辐射辐照半导体材料(1)的至少一个辐射源(6)，其中该至少一个准直器(2)在朝向半导体材料(1)的侧上具有至少一个反射层(3)，借助该反射层将附加辐射反射到半导体材料(1)上。此外，本发明涉及一种具有直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)的CT系统，以及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)探测入射的X射线辐射的、尤其用于在CT系统(C1)中使用的方法，其中借助至少一个反射层(3)以附加辐射间接辐照用于探测的半导体材料(1)，以生成附加的载流子。
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公开(公告)号：CN104662675A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380048502.5
申请日：2013-07-10
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L31/115 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/241 , A61B6/032 , A61B6/4014 , A61B6/4208 , H01L31/0224 , H01L31/115
摘要： 本发明涉及用于检测X射线辐射的直接转换式X射线辐射检测器(C3、C5)，其至少具有用于检测X射线辐射的半导体(1)和至少一个安装在半导体(1)上的电极(2)，其中半导体(1)和至少一个电极(2)导电连接，其中至少一个电极(2)形成为透明并导电。此外，本发明涉及至少具有根据本发明的直接转换式X射线辐射检测器的CT系统(1)。
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公开(公告)号：CN104641256B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380048384.8
申请日：2013-07-09
申请人： 西门子公司
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： G01T1/244 , G01N23/04 , G01N23/046 , G01T1/026 , G01T1/24
摘要： 本发明涉及一种用于利用X射线检测器(100)检测X射线辐射(R)的方法，所述X射线检测器具有直接转换的半导体检测器元件(150a,150b)，其中借助辐射源(210a,210b)将附加辐射(K)传送到半导体检测器元件(150a,150b),并且附加辐射(K)的传送基于预先给出的额定值(Ta,Tb,Tc)被控制或调节。特别地，额定值可以时间上可变地作为目标值的序列被预先给出。此外描述了一种X射线检测器系统(200)，利用所述X射线检测器系统可以执行该方法。
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公开(公告)号：CN104428690B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201380037341.X
申请日：2013-07-10
申请人： 西门子公司
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： H01L31/16 , A61B6/4208 , G01N23/046 , G01T1/24 , G01T1/244 , H01L27/14601 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14806 , H01L31/085 , H01L31/09 , H01L31/125 , H01L31/14
摘要： 本发明涉及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)探测入射的X射线辐射的方法，其中，以具有至少1.6eV能量的附加的辐射照射用于探测的半导体材料(HL)来生成附加的电荷载体。本发明还涉及一种用于按照根据本发明的方法探测X射线辐射的直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(HL)和至少一个辐射源(Q)，该辐射源以附加的辐射照射半导体材料(HL)，其中，所述辐射具有至少1.6eV的能量，以及涉及一种具有X射线辐射探测器(C3,C5)的CT系统(C1)。
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公开(公告)号：CN104730562B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410784261.7
申请日：2014-12-16
申请人： 西门子公司
CPC分类号： G01T1/175 , G01T1/24 , G01T1/2928 , H01L27/14676
摘要： 一种根据本发明的X射线辐射探测器(1)，包括至少两个相邻布置的探测器元件(2)，为了检测入射的X射线辐射，分别在这些探测器元件上施加高压(SB)。在此，两个相邻的探测器元件(2)借助保护电路(4)互相耦合，该保护电路被设计为，将两个相邻的探测器元件(2)之间的电压差(ΔS)限制在对于在两个探测器元件(2)之间形成飞弧非临界的电压值(ΔSG)。
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公开(公告)号：CN104662675B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380048502.5
申请日：2013-07-10
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L31/115 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/241 , A61B6/032 , A61B6/4014 , A61B6/4208 , H01L31/0224 , H01L31/115
摘要： 本发明涉及用于检测X射线辐射的直接转换式X射线辐射检测器(C3、C5)，其至少具有用于检测X射线辐射的半导体(1)和至少一个安装在半导体(1)上的电极(2)，其中半导体(1)和至少一个电极(2)导电连接，其中至少一个电极(2)形成为透明并导电。此外，本发明涉及至少具有根据本发明的直接转换式X射线辐射检测器的CT系统(1)。
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公开(公告)号：CN104730562A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410784261.7
申请日：2014-12-16
申请人： 西门子公司
CPC分类号： G01T1/175 , G01T1/24 , G01T1/2928 , H01L27/14676
摘要： 一种根据本发明的X射线辐射探测器(1)，包括至少两个相邻布置的探测器元件(2)，为了检测入射的X射线辐射，分别在这些探测器元件上施加高压(SB)。在此，两个相邻的探测器元件(2)借助保护电路(4)互相耦合，该保护电路被设计为，将两个相邻的探测器元件(2)之间的电压差(ΔS)限制在对于在两个探测器元件(2)之间形成飞弧非临界的电压值(ΔSG)。
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公开(公告)号：CN104428690A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380037341.X
申请日：2013-07-10
申请人： 西门子公司
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： H01L31/16 , A61B6/4208 , G01N23/046 , G01T1/24 , G01T1/244 , H01L27/14601 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14806 , H01L31/085 , H01L31/09 , H01L31/125 , H01L31/14
摘要： 本发明涉及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)探测入射的X射线辐射的方法，其中，以具有至少1.6eV能量的附加的辐射照射用于探测的半导体材料(HL)来生成附加的电荷载体。本发明还涉及一种用于按照根据本发明的方法探测X射线辐射的直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(HL)和至少一个辐射源(Q)，该辐射源以附加的辐射照射半导体材料(HL)，其中，所述辐射具有至少1.6eV的能量，以及涉及一种具有X射线辐射探测器(C3,C5)的CT系统(C1)。
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