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公开(公告)号：CN104641256A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048384.8
申请日：2013-07-09
Applicant: 西门子公司
IPC: G01T1/24
CPC classification number: G01T1/244 , G01N23/04 , G01N23/046 , G01T1/026 , G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种用于利用X射线检测器(100)检测X射线辐射(R)的方法，所述X射线检测器具有直接转换的半导体检测器元件(150a,150b)，其中借助辐射源(210a,210b)将附加辐射(K)传送到半导体检测器元件(150a,150b),并且附加辐射(K)的传送基于预先给出的额定值(Ta,Tb,Tc)被控制或调节。特别地，额定值可以时间上可变地作为目标值的序列被预先给出。此外描述了一种X射线检测器系统(200)，利用所述X射线检测器系统可以执行该方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104641255A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048285.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 西门子公司
Inventor： S.卡普勒 , B.克莱斯勒 , M.拉巴延德因扎 , D.尼德洛纳 , M.莱因万德 , C.施勒特 , J.图恩 , S.沃思 , F.迪雷 , K.斯蒂尔斯托弗 , E.戈德尔 , P.哈肯施密德 , M.斯特拉斯伯格
CPC classification number: G21K1/02 , G01N23/046 , G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/2985
Abstract: 本发明涉及一种用于探测X射线辐射、尤其用于在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(1)、至少一个准直器(2)和以附加辐射辐照半导体材料(1)的至少一个辐射源(6)，其中该至少一个准直器(2)在朝向半导体材料(1)的侧上具有至少一个反射层(3)，借助该反射层将附加辐射反射到半导体材料(1)上。此外，本发明涉及一种具有直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)的CT系统，以及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)探测入射的X射线辐射的、尤其用于在CT系统(C1)中使用的方法，其中借助至少一个反射层(3)以附加辐射间接辐照用于探测的半导体材料(1)，以生成附加的载流子。
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公开(公告)号：CN104641256B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380048384.8
申请日：2013-07-09
Applicant: 西门子公司
IPC: G01T1/24
CPC classification number: G01T1/244 , G01N23/04 , G01N23/046 , G01T1/026 , G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种用于利用X射线检测器(100)检测X射线辐射(R)的方法，所述X射线检测器具有直接转换的半导体检测器元件(150a,150b)，其中借助辐射源(210a,210b)将附加辐射(K)传送到半导体检测器元件(150a,150b),并且附加辐射(K)的传送基于预先给出的额定值(Ta,Tb,Tc)被控制或调节。特别地，额定值可以时间上可变地作为目标值的序列被预先给出。此外描述了一种X射线检测器系统(200)，利用所述X射线检测器系统可以执行该方法。
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公开(公告)号：CN104603606A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045976.4
申请日：2013-07-18
Applicant: 西门子公司
IPC: G01N23/087
CPC classification number: G01T1/36 , A61B6/032 , A61B6/0457 , A61B6/4014 , A61B6/4241 , A61B6/482 , A61B6/5205 , A61B6/5258 , G01T1/17
Abstract: 本发明的内容是，除了强度之外附加地还引入X射线辐射的谱组成，用于确定由对象(7)引起的衰减。本发明的另一个方面是一种装置，特别是用于X射线或CT系统(1)的辐射监视器(M)，其适合用于执行提到的按照本发明的过程。
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公开(公告)号：CN104603606B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201380045976.4
申请日：2013-07-18
Applicant: 西门子公司
IPC: G01N23/087
CPC classification number: G01T1/36 , A61B6/032 , A61B6/0457 , A61B6/4014 , A61B6/4241 , A61B6/482 , A61B6/5205 , A61B6/5258 , G01T1/17
Abstract: 本发明的内容是，除了强度之外附加地还引入X射线辐射的谱组成，用于确定由对象(7)引起的衰减。本发明的另一个方面是一种装置，特别是用于X射线或CT系统(1)的辐射监视器(M)，其适合用于执行提到的按照本发明的过程。
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公开(公告)号：CN104641255B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380048285.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 西门子公司
Inventor： S.卡普勒 , B.克莱斯勒 , M.拉巴延德因扎 , D.尼德洛纳 , M.莱因万德 , C.施勒特 , J.图恩 , S.沃思 , F.迪雷 , K.斯蒂尔斯托弗 , E.戈德尔 , P.哈肯施密德 , M.斯特拉斯伯格
CPC classification number: G21K1/02 , G01N23/046 , G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/2985
Abstract: 本发明涉及一种用于探测X射线辐射、尤其用于在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(1)、至少一个准直器(2)和以附加辐射辐照半导体材料(1)的至少一个辐射源(6)，其中该至少一个准直器(2)在朝向半导体材料(1)的侧上具有至少一个反射层(3)，借助该反射层将附加辐射反射到半导体材料(1)上。此外，本发明涉及一种具有直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)的CT系统，以及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)探测入射的X射线辐射的、尤其用于在CT系统(C1)中使用的方法，其中借助至少一个反射层(3)以附加辐射间接辐照用于探测的半导体材料(1)，以生成附加的载流子。
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