公开(公告)号：CN118715608A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380014587.9

申请日：2023-05-02

申请人： 西部数据技术公司

发明人： 刘向阳 ,  李硕 ,  刘晓栋 ,  辛旭日 ,  姜卫挺 ,  吴正浩 ,  杨博

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明涉及一种裸片分离环，所述裸片分离环在半导体晶片扩展过程期间引起半导体晶片的不均匀扩展。所述裸片分离环包含围绕中心轴延伸的环形主体。所述裸片分离环的所述环形主体包含具有第一高程的第一部分以及具有低于所述第一高程的第二高程的第二部分。第三部分在所述第一部分与所述第二部分之间延伸，从而在所述第一部分与所述第二部分之间形成过渡。

公开(公告)号：CN116207052A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210536847.6

申请日：2022-05-17

申请人： 西部数据技术公司

发明人： 刘扬名 ,  黄盛华 ,  杨博 ,  叶宁 ,  张聪

IPC分类号： H01L23/24 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/552 ,  H10B80/00

摘要： 一种半导体装置包含：衬底、所述衬底上的半导体裸片、模制化合物和悬浮于所述模制化合物内的增强层。所述增强层可例如为在压缩模制进程期间在所述半导体裸片之上在所述模制化合物中形成的铜箔。所述增强层可具有为所述半导体装置提供额外强度的结构刚度。所述增强层还可由热导体形成以从所述半导体装置内的控制器裸片吸走热量。