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公开(公告)号：CN112151545A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910575682.1
申请日：2019-06-28
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507
摘要： 本发明题为“包括磁性压持层的半导体设备”。本发明公开了一种半导体设备，所述半导体设备包括安装在基板上的一个或多个半导体管芯。每个半导体管芯可在所述半导体管芯的下部失活表面上形成有铁磁层。所述铁磁层在制造期间将所述半导体管芯下拉到彼此和所述基板上，以防止所述管芯翘曲。所述铁磁层还平衡所述管芯层之间的热膨胀系数的不匹配，从而进一步防止所述管芯翘曲。
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公开(公告)号：CN112151545B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910575682.1
申请日：2019-06-28
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明题为“包括磁性压持层的半导体设备”。本发明公开了一种半导体设备，所述半导体设备包括安装在基板上的一个或多个半导体管芯。每个半导体管芯可在所述半导体管芯的下部失活表面上形成有铁磁层。所述铁磁层在制造期间将所述半导体管芯下拉到彼此和所述基板上，以防止所述管芯翘曲。所述铁磁层还平衡所述管芯层之间的热膨胀系数的不匹配，从而进一步防止所述管芯翘曲。
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公开(公告)号：CN116207052A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210536847.6
申请日：2022-05-17
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： H01L23/24 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/552 , H10B80/00
摘要： 一种半导体装置包含：衬底、所述衬底上的半导体裸片、模制化合物和悬浮于所述模制化合物内的增强层。所述增强层可例如为在压缩模制进程期间在所述半导体裸片之上在所述模制化合物中形成的铜箔。所述增强层可具有为所述半导体装置提供额外强度的结构刚度。所述增强层还可由热导体形成以从所述半导体装置内的控制器裸片吸走热量。
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公开(公告)号：CN115513158A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210127755.2
申请日：2022-02-11
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： H01L23/488
摘要： 一种半导体装置封装包含具有球栅阵列的半导体装置，所述球栅阵列具有由金属焊料构成的焊球的第一子集，以及由包含由焊料层包围的聚合物芯的复合材料构成的焊球的第二子集。所述第二子集的所述焊球可具有比所述第一子集的所述焊球低的弹性模数，且抵抗由所述半导体装置封装上的热应力所致的开裂。在一个实施例中，焊球的所述第二子集的至少一部分位于所述球栅阵列的周边上，以使得焊球的所述第一子集可至少部分地由焊球的所述第二子集包围。
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