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公开(公告)号:CN118715608A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202380014587.9
申请日:2023-05-02
申请人: 西部数据技术公司
IPC分类号: H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要: 本发明涉及一种裸片分离环,所述裸片分离环在半导体晶片扩展过程期间引起半导体晶片的不均匀扩展。所述裸片分离环包含围绕中心轴延伸的环形主体。所述裸片分离环的所述环形主体包含具有第一高程的第一部分以及具有低于所述第一高程的第二高程的第二部分。第三部分在所述第一部分与所述第二部分之间延伸,从而在所述第一部分与所述第二部分之间形成过渡。