一种抗干扰X波段压控振荡器

    公开(公告)号:CN113595505A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110712030.5

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 一种抗干扰X波段压控振荡器,利用构建的增加电路,从电路结构上的提高了X波段压控振荡器的抗干扰能力,进行压控振荡器电路改造,通过改造电路抑制了低频信号传导到变容二极管,使低频信号无法被调制到振荡器的工作频率上,不会被正反馈放大器放大;并且由于增加电路的阻抗在振荡频率为低阻,不引入额外的电路损耗,保证振荡器的功能性能不受影响;并且保证了振荡器的敏感参数相位噪声不受影响,从而从根本上提高了压控振荡器的抗干扰能力,提高整个频率源系统以及通信系统的稳定性。

    一种射频同轴连接器内导体的表面处理方法

    公开(公告)号:CN103986044A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201410219958.X

    申请日:2014-05-22

    Abstract: 本发明提供一种射频同轴连接器内导体的表面处理方法,包括内导体的整体化学除油处理;内导体整体蚀刻、表面抛光处理;内导体的表面活化处理;内导体的整体表面滚镀镍、滚镀硬金;将内导体的镀硬金的界面部位安装在模具上,并使得内导体需进行镀软金的微带端部位裸露在电镀工装模具外面;内导体的微带端部位化学除油处理;内导体的微带端部位表面活化处理;内导体微带端部位的挂镀镍、镀软金处理;镀后水洗、烘干处理,然后将内导体从电镀工装模具上取下。利用本发明的方法,使得处理后的内导体具有接触可靠和良好的耐磨性,同时具有优良的可键合性能的特点,使得内导体与其它器件的连接更为可靠。

    一种射频同轴连接器内导体的表面处理方法

    公开(公告)号:CN103986044B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201410219958.X

    申请日:2014-05-22

    Abstract: 本发明提供一种射频同轴连接器内导体的表面处理方法,包括内导体的整体化学除油处理;内导体整体蚀刻、表面抛光处理;内导体的表面活化处理;内导体的整体表面滚镀镍、滚镀硬金;将内导体的镀硬金的界面部位安装在模具上,并使得内导体需进行镀软金的微带端部位裸露在电镀工装模具外面;内导体的微带端部位化学除油处理;内导体的微带端部位表面活化处理;内导体微带端部位的挂镀镍、镀软金处理;镀后水洗、烘干处理,然后将内导体从电镀工装模具上取下。利用本发明的方法,使得处理后的内导体具有接触可靠和良好的耐磨性,同时具有优良的可键合性能的特点,使得内导体与其它器件的连接更为可靠。

    一种宇航应用的核心微波放大器芯片应用验证系统及方法

    公开(公告)号:CN117538721A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311122065.9

    申请日:2023-08-31

    Abstract: 一种宇航应用的核心微波放大器芯片应用验证系统及方法,属于电子技术领域。本发明的应用验证方法和系统,结合了器件固有的特点和宇航应用需求,构建了针对微波放大器的应用验证的全套方法和系统,可满足微波放大器宇航应用验证的需求。本发明针对微波放大器的固有特性、工艺特点和常见失效模式制定的针对性试验,如针对放大器自激振荡设计了稳定性评价、针对氢效应设计了耐氢能力评价、针对输出失配引起功率反射设计了抗失配能力评价、针对各工况对寿命的影响设计了寿命评估,确保验证的高效性和针对性。

    一种抗干扰X波段压控振荡器

    公开(公告)号:CN113595505B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202110712030.5

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 一种抗干扰X波段压控振荡器,利用构建的增加电路,从电路结构上的提高了X波段压控振荡器的抗干扰能力,进行压控振荡器电路改造,通过改造电路抑制了低频信号传导到变容二极管,使低频信号无法被调制到振荡器的工作频率上,不会被正反馈放大器放大;并且由于增加电路的阻抗在振荡频率为低阻,不引入额外的电路损耗,保证振荡器的功能性能不受影响;并且保证了振荡器的敏感参数相位噪声不受影响,从而从根本上提高了压控振荡器的抗干扰能力,提高整个频率源系统以及通信系统的稳定性。

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