一种用于半导体器件的连接件及其制备方法

    公开(公告)号:CN118983289A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411055597.X

    申请日:2024-08-02

    IPC分类号: H01L23/492 H01L21/48

    摘要: 本申请公开了一种用于半导体器件的连接件及其制备方法,涉及微电子技术领域。一种用于半导体器件的连接件,包括对向设置的两个导电基板,以及连接于两个上述导电基板之间的封接层;任意一个上述导电基板靠近上述封接层的表面均设置有纳米结构阵列;任意一个上述纳米结构阵列的表面均设置有石墨烯层。其制备方法利用飞秒激光的手段在导电基板的表面制备得到纳米结构阵列,并在纳米结构阵列的表面制备覆盖一层石墨烯,能够降低烧结温度,提高连接界面剪切强度,增强抗氧化能力,具有良好的高温稳定性能,有助于保障高功率半导体器件在各种极端环境下的正常工作,在微电子封装互连领域有着广泛的应用前景。

    一种基于多层频率选择表面的曲面共形天线罩制备方法

    公开(公告)号:CN117791122A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311745447.7

    申请日:2023-12-18

    摘要: 本发明公开了一种基于多层频率选择表面的曲面共形天线罩制备方法,其包括以下步骤:建立曲面共形天线罩的三维数字模型;3D打印底端的第一透波介质层;处理第一透波介质层顶面;在第一透波介质层顶面制备激光活化膜;在第一透波介质层顶面激光刻蚀;清洗,以去除激光活化膜;在激光刻蚀区域沉积导电金属;对导电层进行激光刻蚀修形;在前一层第一透波介质层的顶端3D打印后一层第一透波介质层,并再次处理、制备激光活化膜、激光刻蚀、清洗、沉积导电金属和激光刻蚀修形,直至所有第一透波介质层制备完毕;之后,3D打印第二透波介质层。本发明能够实现基于激光刻蚀技术的高精度且高效地增减材复合制造。

    一种航空电子装备多尺度故障特征提取与排序方法

    公开(公告)号:CN117113048A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310681753.2

    申请日:2023-06-09

    摘要: 本发明公开了一种航空电子装备多尺度故障特征提取与排序方法,涉及航空电子装备技术领域。本发明的方法具体包括:获取航空电子装备运行数据,对数据进行归一化处理;使用不同尺度的卷积核对归一化后的数据进行卷积操作,获取多个不同尺度的时间特征表示,并进行特征融合;采用多路注意力机制对融合处理后的特征在各个维度进行编码,并计算其权重向量,权重向量组成为一个掩码张量映射到原始输入特征上的到一个全局高维特征,然后将其作为后续任务的输入。本发明利用多尺度深度学习模型提取出了更具有代表性的故障特征,有效降低了专家知识依赖,提高数据分析的准确性和效率,为航空电子装备的性能优化和故障诊断等方面提供更好的支持。

    一种天线结构缝隙隐身处理方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116613512A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310371907.8

    申请日:2023-04-10

    IPC分类号: H01Q1/36 H01Q1/52 H01Q1/28

    摘要: 本发明公开了一种天线结构缝隙隐身处理方法,该方法包括:天线结构缝隙结构设计与加工;天线结构缝隙清洁与干燥;天线结构缝隙隐身处理;天线结构缝隙固化与后处理。本发明可以使天线原有状态均不改变的情况下,将天线的RCS数据显著降低;同时,明显降低天线的实际工作状态的雷达波反射截面值,达到总体设计指标范围之内,很好的解决了工程中机载天线隐身的效果。