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公开(公告)号：CN103928320B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410162752.8
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括：1.选用结构性能优良的P型碳化硅衬底，对该衬底背面切割减薄并抛光氧化切割面；2.在衬底正面依次通过离子注入，形成N阱区、N+体接触区、P阱区；3.在衬底正面刻蚀出沟槽，接着生长沟槽栅氧化层，并进行多晶硅淀积，使多晶硅填满沟槽；4.在衬底背面离子注入缓冲层与集电区；5.高温退火，激活注入杂质；6.制备器件电极。与现有方法相比，本发明不需要外延生长过厚的耐压层，节省了大量生产成本，简化了工艺步骤，可用于逆变器、开关电源和照明电路领域。
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公开(公告)号：CN104051049A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300664.X
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种串联夹心式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：串联的上、下两个PIN结和α放射源层；上PIN结自下而上依次为N型外延层欧姆接触电极、N型GaN外延层、P型SiC外延层、P型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结自下而上依次为N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、N型SiC外延层、P型GaN外延层和P型外延层欧姆接触电极；α放射源层夹在上下两个PIN结的外延层欧姆接触电极之间，以实现对高能α粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。
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公开(公告)号：CN103928309B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410161027.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种N沟道穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括：1.选用结构性能优良的N型碳化硅衬底，在该衬底正面外延生长一层N型外延层；2.在衬底外延层上依次通过离子注入，形成P阱区、P+体接触区、N+发射区；3.对衬底背面进行P+集电极区的离子注入，并进行高温退火，激活注入杂质；4.在衬底正面生长刻蚀栅氧化层、淀积多晶硅栅；5.在衬底正面和背面分别淀积金属并光刻，引出电极。与现有方法相比，本发明不需要外延生长过厚的耐压层，节省了大量生产成本，简化了工艺步骤，可用于逆变器、开关电源和照明电路。
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公开(公告)号：CN103928322B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410163736.0
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括：1.选用结构性能优良的P型碳化硅衬底，对该衬底背面切割减薄并抛光氧化切割面；2.在衬底正面依次通过离子注入，形成N阱区、N+体接触区、JFET区、P+发射区；3.对衬底背面进行缓冲层与集电极区的离子注入；4.高温退火，激活注入杂质；5.在衬底正面生长刻蚀栅氧化层、淀积多晶硅栅；6.在衬底正面和背面淀积金属并光刻，引出电极。与现有方法相比，本发明不需要外延生长过厚的耐压层，节省了大量生产成本，简化了工艺步骤，可用于逆变器、开关电源和照明电路领域。
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公开(公告)号：CN104051052A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410301094.6
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种沟槽隔离式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法，主要解决现有碳化硅PIN结α辐照电池输出电压有限的问题。其包括：PIN结、沟槽(9)、α放射源层(8)和金属键合部(5)，该PIN结自上而下为P型外延层欧姆接触电极(6)、P型外延层(2)、N型外延层(3)、N型SiC衬底(4)和N型欧姆接触电极(7)；沟槽位于PIN结上部分的左右两侧；α放射源层位于P型外延层欧姆接触电极的上方；金属键合部位于α放射源层的左右两侧，每个键合部的下面与P型外延层欧姆接触电极完全接触。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928322A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163736.0
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括：1.选用结构性能优良的P型碳化硅衬底，对该衬底背面切割减薄并抛光氧化切割面；2.在衬底正面依次通过离子注入，形成N阱区、N+体接触区、JFET区、P+发射区；3.对衬底背面进行缓冲层与集电极区的离子注入；4.高温退火，激活注入杂质；5.在衬底正面生长刻蚀栅氧化层、淀积多晶硅栅；6.在衬底正面和背面淀积金属并光刻，引出电极。与现有方法相比，本发明不需要外延生长过厚的耐压层，节省了大量生产成本，简化了工艺步骤，可用于逆变器、开关电源和照明电路领域。
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公开(公告)号：CN103928321A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163147.2
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前SiC绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤是：选用结构性能优良的P型SiC衬底，在其硅面生长氧化层，随后依次淀积多晶硅、氮化硅；采用栅自对准工艺，在淀积有多晶硅、氮化硅的衬底表面光刻刻蚀出阱区窗口，通过离子注入形成N阱、N+接触区以及发射极区；在衬底碳面离子注入形成集电极区；接着进行高温退火，完成推阱，激活注入杂质；在衬底硅面及碳面分别淀积金属层，引出各个电极；最后，烧结金属，形成良好接触。与现有方法相比，本发明不需要外延工艺生长过厚的耐压层，节省了大量生产成本，简化了工艺步骤，可用于开关电源和照明电路。
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公开(公告)号：CN104064244A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410300661.6
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构β辐照电池，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型β辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型GaN外延层、P型SiC外延层、P型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、N型SiC外延层、P型GaN外延层、P型GaN外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个填满β放射源的沟槽；两个PIN结的外延层欧姆接触电极相接，使上下沟槽镜像对称且相互贯通。本发明具有放射源利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可用于微纳机电系统等电路的供电。
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公开(公告)号：CN103928320A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410162752.8
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括：1.选用结构性能优良的P型碳化硅衬底，对该衬底背面切割减薄并抛光氧化切割面；2.在衬底正面依次通过离子注入，形成N阱区、N+体接触区、P阱区；3.在衬底正面刻蚀出沟槽，接着生长沟槽栅氧化层，并进行多晶硅淀积，使多晶硅填满沟槽；4.在衬底背面离子注入缓冲层与集电区；5.高温退火，激活注入杂质；6.制备器件电极。与现有方法相比，本发明不需要外延生长过厚的耐压层，节省了大量生产成本，简化了工艺步骤，可用于逆变器、开关电源和照明电路领域。
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公开(公告)号：CN104051051B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410301093.1
申请日：2014-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型GaN外延层、P型SiC外延层、P型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、N型SiC外延层、P型GaN外延层、P型GaN外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个填满β放射源沟槽，两个PIN结的外延层欧姆接触电极相接触，使上下沟槽镜像对称且相互贯通。本发明具有放射源利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，用于微纳机电系统等电路的供电。
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