基于扩展三层模型的氧化铝涂层二次电子产率模拟方法

    公开(公告)号:CN119943201A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510224497.3

    申请日:2025-02-27

    Abstract: 本发明实施例提供一种基于扩展三层模型的氧化铝涂层二次电子产率模拟方法,包括:获得Al2O3和Si的晶体结构;对晶体结构进行第一性原理计算,得到对应的电子结构;根据界面势垒和能量损失函数,对Al2O3和Si进行蒙特卡罗模拟,得到电子在Al2O3和Si的中传输的弹性平均自由程、非弹性平均自由程和二次电子产率;建立Al2O3/Si双层结构模型;通过改变Al2O3涂层厚度,对Al2O3/Si双层结构模型进行蒙特卡罗模拟,得到Al2O3/Si双层结构的二次电子产率;在Al2O3/Si双层结构中加入SiO2层,建立Al2O3/SiO2/Si三层结构模型;通过改变Al2O3涂层厚度,对Al2O3/SiO2/Si三层结构模型进行蒙特卡罗模拟,得到Al2O3/SiO2/Si三层结构的二次电子产率。如此,显著提高了对Al2O3涂层材料二次电子发射特性的预测精度。

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