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公开(公告)号：CN105755418B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610172208.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种陶瓷纤维/晶须强化复合热障涂层及其制备方法，获得的复合热障涂层结构稳定、阻热效果良好、抗热冲击及抗高温氧化性能优良。所述方法包括如下步骤：步骤1，制备陶瓷纤维/晶须与陶瓷基材料的复合粉体，陶瓷纤维/晶须在复合粉体中的质量比为1％‑95％；步骤2，以步骤1得到的复合粉体为原料，采用等离子喷涂或激光熔覆的方法使得陶瓷纤维/晶须均匀弥散地分布于制备得到的涂层之中，从而得到陶瓷纤维/晶须增韧复合热障涂层。复合热障涂层中纤维/晶须作为强化相，分布于已凝固的熔融陶瓷液滴的相邻摊片中以及相邻摊片的片层间未结合区域中。在航空涡轮发动机及重型燃气轮机等国防尖端工业中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101792141B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010140008.X
申请日：2010-04-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B33/02 , C01B33/037 , B01D57/02
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体加工过程中废砂浆的处理工艺。利用电泳分离技术将废砂浆中的单晶硅Si及碳化硅SiC分离，使之回收再利用。首先，在废砂浆中加入2-5vol.％稀盐酸溶液，稀盐酸溶液与废砂浆体积比为1.5至3；沉降24-48h后，将上层液体排出。加入蒸馏水反复沉降排出上层液体2-4次；加入60-80vol.％蒸馏水、0.1-1wt.％的分散剂阿拉伯树胶，球磨12-24h后，调节悬浮液pH值在3-3.5；电泳分离得正极沉积物，在所得阳极沉积物中再加入蒸馏水和阿拉伯树胶调节悬浮液pH值在3-3.5电泳分离分离得再次正极沉积物，重复以上步骤三次得电泳5次的正极沉积物。
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公开(公告)号：CN101792141A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010140008.X
申请日：2010-04-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B33/02 , C01B33/037 , B01D57/02
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体加工过程中废砂浆的处理工艺。利用电泳分离技术将废砂浆中的单晶硅Si及碳化硅SiC分离，使之回收再利用。首先，在废砂浆中加入2-5vol.％稀盐酸溶液，稀盐酸溶液与废砂浆体积比为1.5至3；沉降24-48h后，将上层液体排出。加入蒸馏水反复沉降排出上层液体2-4次；加入60-80vol.％蒸馏水、0.1-1wt.％的分散剂阿拉伯树胶，球磨12-24h后，调节悬浮液pH值在3-3.5；电泳分离得正极沉积物，在所得阳极沉积物中再加入蒸馏水和阿拉伯树胶调节悬浮液pH值在3-3.5电泳分离分离得再次正极沉积物，重复以上步骤三次得电泳5次的正极沉积物。
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公开(公告)号：CN101817684B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010132482.8
申请日：2010-03-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 一种多孔Si3N4基体表面覆涂h-BN涂层的方法，步骤为：一、按质量比将Si3N4、Y2O3、Al2O3和石油焦混合球磨制得料浆；二、将料浆干燥，过筛，将得到的粉末压成生坯，在N2气氛中烧结获得Si3N4基体；三、将Si3N4基体清洗，然后烘干，再将H3BO3覆涂在Si3N4基体表面；四、将覆涂有H3BO3的Si3N4基体加热，在Si3N4基体表面得到均匀的B2O3；五、将步骤四中表面具有B2O3的Si3N4基体加热，利用碳热还原反应得到Si3N4基体表面覆涂有h-BN涂层，本发明具有成本低，操作简单的特点，制备的复合结构综合了两种陶瓷材料的优点，可以在金属成型模具方面得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101817684A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010132482.8
申请日：2010-03-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 一种多孔Si3N4基体表面覆涂h-BN涂层的方法，步骤为：一、按质量比将Si3N4、Y2O3、Al2O3和石油焦混合球磨制得料浆；二、将料浆干燥，过筛，将得到的粉末压成生坯，在N2气氛中烧结获得Si3N4基体；三、将Si3N4基体清洗，然后烘干，再将H3BO3覆涂在Si3N4基体表面；四、将覆涂有H3BO3的Si3N4基体加热，在Si3N4基体表面得到均匀的B2O3；五、将步骤四中表面具有B2O3的Si3N4基体加热，利用碳热还原反应得到Si3N4基体表面覆涂有h-BN涂层，本发明具有成本低，操作简单的特点，制备的复合结构综合了两种陶瓷材料的优点，可以在金属成型模具方面得到广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105755418A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610172208.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种陶瓷纤维/晶须强化复合热障涂层及其制备方法，获得的复合热障涂层结构稳定、阻热效果良好、抗热冲击及抗高温氧化性能优良。所述方法包括如下步骤：步骤1，制备陶瓷纤维/晶须与陶瓷基材料的复合粉体，陶瓷纤维/晶须在复合粉体中的质量比为1％?95％；步骤2，以步骤1得到的复合粉体为原料，采用等离子喷涂或激光熔覆的方法使得陶瓷纤维/晶须均匀弥散地分布于制备得到的涂层之中，从而得到陶瓷纤维/晶须增韧复合热障涂层。复合热障涂层中纤维/晶须作为强化相，分布于已凝固的熔融陶瓷液滴的相邻摊片中以及相邻摊片的片层间未结合区域中。在航空涡轮发动机及重型燃气轮机等国防尖端工业中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101407420B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810232098.8
申请日：2008-11-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，首先按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95％、烧结助剂5～7％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35-55％的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫酸去掉氮化硅中的玻璃相及烧结助剂所形成的化合物；按一定比例配制酚醛树脂及二氧化硅的溶胶，把酸洗后的多孔氮化硅基体试样多次浸入到溶胶中，烘干后放入气氛炉中，加热至1200℃通入氮气，升温至1750-1800℃，在氮气压力为2～6个大气压下保温1～2小时，得到无晶界相多孔氮化硅陶瓷。该多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机，发动机，航天飞机，天线罩等使用的高温耐热材料等。
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公开(公告)号：CN101407421A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810232099.2
申请日：2008-11-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95wt％、烧结助剂5～7wt％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35～55％的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫酸去掉氮化硅中的玻璃相及烧结助剂所形成的化合物。将酸洗后的试样放入真空炉中1550～1700℃真空保温20～40分钟渗入5～10wt％的硅，再放入气氛炉中1250～1390℃，保温时间4～8h氮化，之后在1750～1800℃氮气压力为3～6个大气压下保温1～2小时，得到无晶界相多孔氮化硅陶瓷。该多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机，发动机，航天飞机等使用的高温耐热材料等。
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公开(公告)号：CN101407421B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810232099.2
申请日：2008-11-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95wt％、烧结助剂5～7wt％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35～55％的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫酸去掉氮化硅中的玻璃相及烧结助剂所形成的化合物。将酸洗后的试样放入真空炉中1550～1700℃真空保温20～40分钟渗入5～10wt％的硅，再放入气氛炉中1250～1390℃，保温时间4～8h氮化，之后在1750～1800℃氮气压力为3～6个大气压下保温1～2小时，得到无晶界相多孔氮化硅陶瓷。该多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机，发动机，航天飞机等使用的高温耐热材料等。
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公开(公告)号：CN101407420A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810232098.8
申请日：2008-11-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，首先按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95％、烧结助剂5～7％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35－55％的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫酸去掉氮化硅中的玻璃相及烧结助剂所形成的化合物；按一定比例配制酚醛树脂及二氧化硅的溶胶，把酸洗后的多孔氮化硅基体试样多次浸入到溶胶中，烘干后放入气氛炉中，加热至1200℃通入氮气，升温至1750－1800℃，在氮气压力为2～6个大气压下保温1～2小时，得到无晶界相多孔氮化硅陶瓷。该多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机，发动机，航天飞机，天线罩等使用的高温耐热材料等。
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