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公开(公告)号：CN101643933A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910305764.0
申请日：2009-08-19
Applicant: 蒋建纯
Abstract: CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺，该CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚由上埚帮、下埚帮和埚托三部分组成，上埚帮和下埚帮由坯体、基体碳构成，表面碳化硅涂层，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于护埚总重量的40％；所述基体碳由树脂碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于产品总重量的30％；上下埚帮材料密度≥1.3g/cm 3 ；上下埚帮上均匀分布直径5～30mm的孔，孔壁和埚帮内表面采用碳化硅涂层，厚度为10～100μm；埚托由高强高纯石墨和表面沉积碳涂层构成，其密度≥1.7g/cm 3 ，表面沉积碳涂层厚度为10～100μm。
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公开(公告)号：CN102167325A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010606250.1
申请日：2010-12-27
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 一种碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏及其制备方法，该碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏本体为“三明治夹心”结构，外表层和内表层由密度大于或等于1.2g/cm3的三维整体针刺炭毡或炭布增密而成，中间层由密度小于或等于0.25g/cm3的炭毡增密而成，隔热屏本体表面被覆有碳化硅防护层。其制备方法包括以下步骤：（1）按照设计要求制造隔热屏钢质胎膜；（2）隔热屏本体毛坯制备；（3）固化处理；（4）炭化处理；（5）脱钢质胎膜；（6）CVD增密处理；（7）对隔热屏两端进行机加工；（8）碳化硅防护层被覆；（9）高温纯化处理。本发明之碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏保温性能、抗腐蚀性能和抗冲刷性能好，机械强度高，使用寿命长；使用净成型少切削工艺制造，生产成本低。
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公开(公告)号：CN101717992B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910310354.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 一种CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒及其制备方法，其CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒筒体由表面涂层、碳-碳复合材料表层和碳-碳复合材料中心层构成。其制备方法包括以下步骤：(1)设计和制造导流筒胎具；(2)设计炭毡的形状和尺寸；并据此尺寸裁剪下料；(3)坯体制备；(4)坯体固化；(5)CVD增密处理；(6)导流筒脱模，对其表面进行抛光打磨；(7)二次CVD增密处理；(8)对导流筒的端部进行机加工，精整其余表面；(9)对精整后的导流筒进行表面抗氧化抗冲蚀涂层处理；(10)烘干、高温纯化处理。本发明导流筒产品的整体性好，使用可靠性高，使用寿命长，更换操作方便；可提高成晶率，降低拉晶能耗10％左右。
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公开(公告)号：CN101905977A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010244903.6
申请日：2010-08-04
Applicant: 蒋建纯
IPC: C04B35/83 , C04B35/622 , C04B41/85 , C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种碳/碳多晶硅铸锭炉整体式加热器的制备方法。该方法是将已涂刷树脂的炭布或针刺炭毡一层层缠绕于钢模芯上制成预制体；经加压固化、炭化和化学气相沉积增密处理，使加热器制品密度达到≥1.50g/cm3；通过机械加工使之达到客户要求的形状和尺寸；最后经过CVD碳化硅防护层和高温纯化处理制得碳/碳复合材料多晶硅铸锭炉整体式加热器。本发明比现有的碳素材料加热器的原材料消耗降低90%以上；产品表面有CVD表面沉积碳化硅防护层，阻隔了硅蒸汽和氧等对产品的侵蚀，使用寿命延长至少一倍以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103244586A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310186888.8
申请日：2013-05-20
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 用于高速列车的金属基粉末冶金制动闸片及其制备方法，该制动闸片由以下原料制成：基体组元：铜粉，重量百分比30～60%，铁粉，重量百分比20～40%；润滑组元：石墨粉，重量百分比8-20%，二硫化钼，重量百分比1-5%；摩擦组元：金属钨，重量百分比1～3%，刚玉，重量百分比1～3%，硅砂，重量百分比1～3%，碳化硼，重量百分比1～3%；摩擦稳定组元：80～400目的炭纤维粉末，重量百分比为1～4%；粘结材料：树脂，用量为各组元重量之和的1～5%。本发明还包括所述用于高速列车的金属基粉末冶金制动闸片的制备方法。本发明制动闸片与机轮构成的摩擦系统摩擦系数高而稳定，制动时的摩擦系数波动小，可靠性高。
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公开(公告)号：CN101541111B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910043180.0
申请日：2009-04-22
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺，本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热体材料密度≥1.3g/cm3；表面碳化硅涂层厚度为10-100μm。本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN101717992A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910310354.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 一种CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒及其制备方法，其CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒简体由表面涂层、碳-碳复合材料表层和碳-碳复合材料中心层构成。其制备方法包括以下步骤：(1)设计和制造导流筒胎具；(2)设计炭毡的形状和尺寸；并据此尺寸裁剪下料；(3)坯体制备；(4)坯体固化；(5)CVD增密处理；(6)导流筒脱模，对其表面进行抛光打磨；(7)二次CVD增密处理；(8)对导流筒的端部进行机加工，精整其余表面；(9)对精整后的导流筒进行表面抗氧化抗冲蚀涂层处理；(10)烘干、高温纯化处理。本发明导流筒产品的整体性好，使用可靠性高，使用寿命长，更换操作方便；可提高成晶率，降低拉晶能耗10％左右。
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公开(公告)号：CN101541111A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910043180.0
申请日：2009-04-22
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺，本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热体材料密度≥1.3g/cm3；表面碳化硅涂层厚度为10－100μm。本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN201554857U
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200920315704.2
申请日：2009-11-25
Applicant: 蒋建纯
IPC: F16J15/30
Abstract: 密炼机轴端碳/碳复合材料机械动密封装置，其包括左圆形耐磨板、右圆形耐磨板、左碳/碳复合材料静耐磨密封环、右碳/碳复合材料静耐磨密封环、静环座、动碳/碳复合材料耐磨密封环、动环座、锥形弹簧，动碳/碳复合材料耐磨密封环通过圆锥销固定在动环座上，再套在转子轴颈上，左碳/碳复合材料静耐磨密封环和右碳/碳复合材料静耐磨密封环通过螺钉固定在静环座上，安装在密炼机机架侧壁上；动碳/碳复合材料耐磨密封环和左碳/碳复合材料静耐磨密封环、右碳/碳复合材料静耐磨密封环之间设有O形密封圈，密封面的间隙通过锥形弹簧来调整。本实用新型结构简单，密封性能好，耐高温，自润滑，耐磨损，使用寿命长，维修方便。
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