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公开(公告)号：CN101717992B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910310354.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 一种CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒及其制备方法，其CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒筒体由表面涂层、碳-碳复合材料表层和碳-碳复合材料中心层构成。其制备方法包括以下步骤：(1)设计和制造导流筒胎具；(2)设计炭毡的形状和尺寸；并据此尺寸裁剪下料；(3)坯体制备；(4)坯体固化；(5)CVD增密处理；(6)导流筒脱模，对其表面进行抛光打磨；(7)二次CVD增密处理；(8)对导流筒的端部进行机加工，精整其余表面；(9)对精整后的导流筒进行表面抗氧化抗冲蚀涂层处理；(10)烘干、高温纯化处理。本发明导流筒产品的整体性好，使用可靠性高，使用寿命长，更换操作方便；可提高成晶率，降低拉晶能耗10％左右。
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公开(公告)号：CN101541111B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910043180.0
申请日：2009-04-22
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺，本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热体材料密度≥1.3g/cm3；表面碳化硅涂层厚度为10-100μm。本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN101717992A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910310354.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 一种CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒及其制备方法，其CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒简体由表面涂层、碳-碳复合材料表层和碳-碳复合材料中心层构成。其制备方法包括以下步骤：(1)设计和制造导流筒胎具；(2)设计炭毡的形状和尺寸；并据此尺寸裁剪下料；(3)坯体制备；(4)坯体固化；(5)CVD增密处理；(6)导流筒脱模，对其表面进行抛光打磨；(7)二次CVD增密处理；(8)对导流筒的端部进行机加工，精整其余表面；(9)对精整后的导流筒进行表面抗氧化抗冲蚀涂层处理；(10)烘干、高温纯化处理。本发明导流筒产品的整体性好，使用可靠性高，使用寿命长，更换操作方便；可提高成晶率，降低拉晶能耗10％左右。
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公开(公告)号：CN101541111A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910043180.0
申请日：2009-04-22
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺，本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热体材料密度≥1.3g/cm3；表面碳化硅涂层厚度为10－100μm。本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN102167325A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010606250.1
申请日：2010-12-27
Applicant: 蒋建纯
Abstract: 一种碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏及其制备方法，该碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏本体为“三明治夹心”结构，外表层和内表层由密度大于或等于1.2g/cm3的三维整体针刺炭毡或炭布增密而成，中间层由密度小于或等于0.25g/cm3的炭毡增密而成，隔热屏本体表面被覆有碳化硅防护层。其制备方法包括以下步骤：（1）按照设计要求制造隔热屏钢质胎膜；（2）隔热屏本体毛坯制备；（3）固化处理；（4）炭化处理；（5）脱钢质胎膜；（6）CVD增密处理；（7）对隔热屏两端进行机加工；（8）碳化硅防护层被覆；（9）高温纯化处理。本发明之碳/碳多晶硅氢化炉隔热屏保温性能、抗腐蚀性能和抗冲刷性能好，机械强度高，使用寿命长；使用净成型少切削工艺制造，生产成本低。
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