公开(公告)号：CN101541111B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200910043180.0

申请日：2009-04-22

Applicant: 蒋建纯

Inventor： 蒋建纯 ,  张弛 ,  张新万 ,  吕国平 ,  陈志军 ,  蒋立志

IPC: H05B3/14 ,  H05B3/62 ,  B05D7/24 ,  C23C16/26 ,  B29C70/34 ,  B29K85/00

Abstract: 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺，本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热体材料密度≥1.3g/cm3；表面碳化硅涂层厚度为10-100μm。本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好，使用寿命长，可靠性高。

公开(公告)号：CN101541111A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910043180.0

申请日：2009-04-22

Applicant: 蒋建纯

Inventor： 蒋建纯 ,  张弛 ,  张新万 ,  吕国平 ,  陈志军 ,  蒋立志

IPC: H05B3/14 ,  H05B3/62 ,  B05D7/24 ,  C23C16/26 ,  B29C70/34 ,  B29K85/00

Abstract: 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺，本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热体材料密度≥1.3g/cm3；表面碳化硅涂层厚度为10－100μm。本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好，使用寿命长，可靠性高。