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公开(公告)号：CN101643933A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910305764.0
申请日：2009-08-19
Applicant: 蒋建纯
Abstract: CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺，该CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚由上埚帮、下埚帮和埚托三部分组成，上埚帮和下埚帮由坯体、基体碳构成，表面碳化硅涂层，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于护埚总重量的40％；所述基体碳由树脂碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于产品总重量的30％；上下埚帮材料密度≥1.3g/cm 3 ；上下埚帮上均匀分布直径5～30mm的孔，孔壁和埚帮内表面采用碳化硅涂层，厚度为10～100μm；埚托由高强高纯石墨和表面沉积碳涂层构成，其密度≥1.7g/cm 3 ，表面沉积碳涂层厚度为10～100μm。
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