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公开(公告)号：CN118588658A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410234479.9
申请日：2024-03-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 提供一种封装体布置结构以及形成封装体布置结构的方法，所述封装体布置结构包括载体结构。所述载体结构可以包括：电绝缘载体，其中，所述载体是导热的，所述载体包括电绝缘材料的芯体、施加到所述芯体的第一侧的第一金属层、以及施加到所述芯体的第二侧的第二金属层，其中，第二侧与第一侧相反；位于所述第一金属层上的第一暴露焊料层；以及位于所述第二金属层上的第二暴露焊料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117438388A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310886554.5
申请日：2023-07-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本公开涉及包括射频吸收性特征的射频器件。公开了一种射频器件和用于制造射频器件的方法。一种器件包括射频芯片和布置在射频芯片之上的散热片。器件还包括布置在射频芯片和散热片之间的层堆叠体。层堆叠体包括包含第一材料的第一层、热界面材料，以及布置在第一材料和热界面材料之间的金属层。
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公开(公告)号：CN118019437A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311453149.0
申请日：2023-11-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有电隔离特征的半导体器件和相关的制造方法。一种半导体器件包括导电载体和布置在载体上的半导体芯片。此外，半导体器件包括布置在载体和半导体芯片之间的层堆叠，该层堆叠具有多个介电层。层堆叠将半导体芯片和载体彼此电分离。多个介电层中的至少一个介电层涂覆有导电涂层。
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公开(公告)号：CN117917949A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311356517.X
申请日：2023-10-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有嵌入的填料颗粒的半导体器件和相关的制造方法。一种半导体器件包括芯片载体和布置在芯片载体上的半导体芯片。此外，半导体器件包含布置在芯片载体和半导体芯片之间的中间层以及至少部分地包封半导体芯片的包封材料。在中间层或包封材料中的至少一者中嵌入有填料颗粒，其中填料颗粒包括带隙在从2.3eV至3.6eV范围内的半导体材料。
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公开(公告)号：CN112864106B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202011374563.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种封装体(100)包括载体(102)、安装在所述载体(102)上的电子器件(104)、包封所述载体(102)的至少一部分和所述电子器件(104)的至少一部分的包封剂(106)以及配置用于向所述包封剂(106)的至少一部分施加压缩应力的压缩结构(108)。
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公开(公告)号：CN112864106A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011374563.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种封装体(100)包括载体(102)、安装在所述载体(102)上的电子器件(104)、包封所述载体(102)的至少一部分和所述电子器件(104)的至少一部分的包封剂(106)以及配置用于向所述包封剂(106)的至少一部分施加压缩应力的压缩结构(108)。
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